[发明专利]基于离子敏感场效应晶体管的生物传感器阵列有效
| 申请号: | 201310617133.9 | 申请日: | 2013-11-28 |
| 公开(公告)号: | CN103604854A | 公开(公告)日: | 2014-02-26 |
| 发明(设计)人: | 胡文闯 | 申请(专利权)人: | 胡文闯 |
| 主分类号: | G01N27/414 | 分类号: | G01N27/414 |
| 代理公司: | 北京中海智圣知识产权代理有限公司 11282 | 代理人: | 白凤武 |
| 地址: | 100075 北京市丰*** | 国省代码: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 基于 离子 敏感 场效应 晶体管 生物 传感器 阵列 | ||
1.基于离子敏感场效应晶体管的生物传感器阵列,其特征在于,包括行生物传感器、列生物传感器、行译码器电路、列译码器电路、控制逻辑电路,所述行生物传感器与行译码器电路连接,所述列生物传感器与列译码器电路连接,所述控制逻辑电路耦合到所述行译码器电路与列译码器电路中。
2.根据权利要求1所述的基于离子敏感场效应晶体管的生物传感器阵列,其特征在于,所述行生物传感器是由生物传感器以行排列形成的,所述列生物传感器是由生物传感器以列排列形成的。
3.根据权利要求1所述的基于离子敏感场效应晶体管的生物传感器阵列,其特征在于,所述行生物传感器与行生物传感器、列生物传感器与列生物传感器、行生物传感器与列生物传感器之间的距离在0.2微米到500微米之间。
4.根据权利要求1所述的基于离子敏感场效应晶体管的生物传感器阵列,其特征在于,所述生物传感器包括底座、晶体管、导电电极,所述导电电极和晶体管分离设置在所述底座上;所述晶体管包括沟道、源极、漏极、栅极电介质,所述沟道两端分别与所述源极、漏极相连,所述沟道上设有栅极电介质,所述沟道是蜿蜒纳米线沟道,所述栅极电介质上设有探针。
5.根据权利要求4所述的基于离子敏感场效应晶体管的生物传感器阵列,其特征在于,所述晶体管是离子敏感场效应晶体管。
6.根据权利要求4所述的基于离子敏感场效应晶体管的生物传感器阵列,其特征在于,所述晶体管是纳米线场效应晶体管。
7.根据权利要求4所述的基于离子敏感场效应晶体管的生物传感器阵列,其特征在于,所述晶体管是鳍式场效应晶体管。
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