[发明专利]一种弄岗唇柱苣苔的离体保存方法有效

专利信息
申请号: 201310608468.4 申请日: 2013-11-27
公开(公告)号: CN103651127A 公开(公告)日: 2014-03-26
发明(设计)人: 李翠;张占江;吕惠珍;缪剑华;韦坤华;韦莹;李林轩 申请(专利权)人: 广西壮族自治区药用植物园
主分类号: A01H4/00 分类号: A01H4/00
代理公司: 广西南宁明智专利商标代理有限责任公司 45106 代理人: 黎明天
地址: 530023 广西*** 国省代码: 广西;45
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摘要:
搜索关键词: 一种 弄岗唇柱苣苔 保存 方法
【说明书】:

技术领域

发明涉及一种植物离体保存方法,特别是一种弄岗唇柱苣苔离体保存方法。

背景技术

弄岗唇柱苣苔,为苦苣苔科唇柱苣苔属植物弄岗唇柱苣苔(Chirita longgangensis W. T. Wang in Guihaia),多年生草本。为广西特有的苦苣苔科药用植物,仅分布于天等、大新县等地,其根状茎可用于跌打损伤、风湿关节痛,是广西天等县生产的成药“桂花膏”的原料之一。

弄岗唇柱苣苔花冠淡紫色,筒白色至淡紫色,具有较高的观赏价值,由于其生长环境要求十分苛刻,适生的温度范围、湿度范围和土壤酸碱度范围比较小,种子细小,繁殖困难,引种难成活,2004年已经被收入《中国植物红皮书》。采用本发明所述的方法是实现濒危物种弄岗唇柱苣苔资源保存和可持续利用的有效途径。

发明内容

本发明的目的是提供一种弄岗唇柱苣苔离体保存方法,它能够保存弄岗唇柱苣苔种质资源。

本发明通过以下技术方案达到上述目的:

一种弄岗唇柱苣苔离体保存方法,包括以下步骤:

(1)选取广西壮族自治区药用植物园离体保存库中弄岗唇柱苣苔试管苗在繁殖培养基上培养20d获得的丛生芽作为试验材料。

(2)将步骤(1)得到的1-2cm弄岗唇柱苣苔无菌丛生芽接种到试验设计MS、1/2MS、1/4MS三种培养基上,接种10瓶,每瓶5株单芽。培养基中25-30g/L蔗糖和3.8-4.8g/L的琼脂,培养基的pH值为5.8,培养温度25±1 ℃,光强1600 lx,光照12-14 h/d。

(3)将步骤(1)得到的1-2cm弄岗唇柱苣苔无菌丛生芽接种到添加不同浓度矮壮素(CCC)、脱落酸(ABA)、多效唑(PP333)的培养基上,接种10瓶,每瓶5株单芽。培养基中25-30g/L蔗糖和3.8-4.8g/L的琼脂,培养基的pH值为5.8,培养温度25±1 ℃,光强1600 lx,光照12-14 h/d。

(4)将步骤(1)得到的1-2cm弄岗唇柱苣苔无菌丛生芽接种到以蔗糖、甘露醇、山梨醇的3个水平设计正交试验培养基,接种10瓶,每瓶5株单芽。培养基中25-30g/L蔗糖和3.8-4.8g/L的琼脂,培养基的pH值为5.8,培养温度25±1 ℃,光强1600 lx,光照12-14 h/d。

    (5)将步骤(1)得到的1-2cm弄岗唇柱苣苔无菌丛生芽接种到繁殖培养基,设计0、800 lx,1600 lx,2400 lx四种光照强度,每种光强接种10瓶,每瓶5株单芽。培养基中25-30g/L蔗糖和3.8-4.8g/L的琼脂,培养基的pH值为5.8,培养温度25±1 ℃,光照12-14 h/d。

(6)离体保存的弄岗唇柱苣苔试管苗的生长恢复情况考察:将生长健壮的弄岗唇柱苣苔试管苗单芽切下接种到最佳保存培养基上保存300d后存活的弄岗唇柱苣苔苣苔试管苗接种到MS+上,每30d继代1次,继代3次后,以株高、形态、叶长、叶宽、芽增殖倍数、平均生长率、单株生根率为指标考察弄岗唇柱苣苔试管苗的恢复情况。

通过选取弄岗唇柱苣苔无菌苗材料;将试验材料接种到不同的培养基上,将试验材料放置在四种光照强度下,总结出弄岗唇柱苣苔离体保存的最佳条件。

    本发明的突出优点在于:

(1)进行弄岗唇柱苣苔离体保存是实现为濒危物种弄岗唇柱苣苔资源保存和可持续利用的有效途径。

(2)常温下,在1/2MS保存培养基上添加0.5-1.5mg/L的矮壮素(CCC)可长时间保存弄岗唇柱苣苔试管苗,能够控制植株伸长,苗株生长缓慢,植株矮壮,根系发达。

    常温下,在1/2MS保存培养基中添加蔗糖30-60g/L可长时间保存弄岗唇柱苣苔试管苗,能够控制植株伸长,苗株生长缓慢,植株矮壮,根系发达。

    常温下,在1/2MS保存培养基中添加琼脂4.0-5.0g/L可长时间保存弄岗唇柱苣苔试管苗,能够控制植株伸长,苗株生长缓慢,植株矮壮,根系发达。

    常温下,在1/2MS保存培养基中添加山梨醇3-7 g/L可长时间保存弄岗唇柱苣苔试管苗,能够控制植株伸长,苗株生长缓慢,植株矮壮,根系发达。

    常温下,光强800-1600lx, 12 h/d可长时间保存弄岗唇柱苣苔试管苗,能够控制植株伸长,苗株生长缓慢,植株矮壮,根系发达。

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