[发明专利]阴极活性材料,制造其的方法和包括其的锂二次电池无效

专利信息
申请号: 201310597563.9 申请日: 2013-11-22
公开(公告)号: CN103840150A 公开(公告)日: 2014-06-04
发明(设计)人: 李美善;文钟硕;金泰炫;崔信政 申请(专利权)人: 三星精密化学株式会社
主分类号: H01M4/505 分类号: H01M4/505;H01M10/0525
代理公司: 北京品源专利代理有限公司 11332 代理人: 巩克栋;杨生平
地址: 韩国蔚*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要:
搜索关键词: 阴极 活性 材料 制造 方法 包括 二次 电池
【权利要求书】:

1.一种由包含具有分层结构的Li2MnO3并且与氟化合物掺杂的锂过量锂金属复合化合物构成的阴极活性材料,其中FWHM(半值宽度)值在0.164度至0.185度的范围内。

2.如权利要求1所述的阴极活性材料,其中所述锂金属复合化合物由式Li1+αNixCoyMnzO2(此处,0.1<α≤1且0<x+y+z≤1)表示。

3.如权利要求1所述的阴极活性材料,其中所述锂金属复合化合物具有菱形的LiMO2(此处,M是选自由Ni、Co和Mn组成的组的一种或多种金属)和单斜的Li2MnO3的混合结构。

4.如权利要求1所述的阴极活性材料,其中所述锂金属复合化合物包含20%或更多的量的Li2MnO3

5.如权利要求1所述的阴极活性材料,其中所述阴极活性材料中c轴的长度在至的范围内。

6.如权利要求1所述的阴极活性材料,其中所述氟化合物是选自由LiF、NaF、KF、MgF2、CaF2、CuF2、CdF2、FeF2、MnF2、MgF2、NiF2、PbF2、SnF2、SrF2、XeF2、ZnF2、AlF3、BF3、BiF3、CeF3、CrF3、FeF3、InF3、LaF3、MnF3、NdF3、VOF3、YF3、CeF4、GeF4、HfF4、SiF4、SnF4、TiF4、VF4、ZrF4、VF5、NbF5、SbF5、TaF5、BiF5、MoF6、ReF6、SF6、WF6、NH4F或其混合物所组成的组中的一种。

7.如权利要求1所述的阴极活性材料,其中所述阴极活性材料掺杂0.02至0.06mol的所述氟化合物。

8.一种用于制备由包含具有分层结构的Li2MnO3的锂过量锂金属复合化合物构成并且其中FWHM(半值宽度)值在0.164度至0.185度的范围内的阴极活性材料的方法;所述方法包括:

合成过渡金属化合物前体;并且

混合所述过渡金属化合物前体、锂供应源和氟化合物并且之后将所述混合物于800℃或更低经历加热处理。

9.如权利要求8所述的方法,其中所述锂金属复合化合物由式Li1+αNixCoyMnzO2(此处,0.1<α≤1且0<x+y+z≤1)表示。

10.如权利要求8所述的方法,其中所述加热处理于700℃进行。

11.如权利要求8所述的方法,其中所述阴极活性材料中c轴的长度在至的范围内。

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