[发明专利]通讯系统中的开关电源在审
申请号: | 201310596272.8 | 申请日: | 2013-11-25 |
公开(公告)号: | CN104660032A | 公开(公告)日: | 2015-05-27 |
发明(设计)人: | 孙仁 | 申请(专利权)人: | 孙仁 |
主分类号: | H02M3/04 | 分类号: | H02M3/04 |
代理公司: | 无 | 代理人: | 无 |
地址: | 110179 辽宁省沈阳市浑*** | 国省代码: | 辽宁;21 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 通讯 系统 中的 开关电源 | ||
技术领域
本发明属于开关电源领域,尤其是涉及一种通讯系统中的开关电源的改进。
背景技术
开关电源是利用现代电力电子技术,控制开关管开通和关断的时间比率,维持稳定输出电压的一种电源,开关电源一般由脉冲宽度调制(PWM)控制IC和MOSFET构成。随着电力电子技术的发展和创新,使得开关电源技术也在不断地创新。目前,开关电源以小型、轻量和高效率的特点被广泛应用几乎所有的电子设备,是当今电子信息产业飞速发展不可缺少的一种电源方式。
随着电力电子技术的高速发展,电力电子设备与人们的工作、生活的关系日益密切,而电子设备都离不开可靠的电源,进入80年代计算机电源全面实现了开关电源化,率先完成计算机的电源换代,进入90年代开关电源相继进入各种电子、电器设备领域,程控交换机、通讯、电子检测设备电源、控制设备电源等都已广泛地使用了开关电源,更促进了开关电源技术的迅速发展。
但是,现有的开关电源还存在一些问题,如输出功率小、体积大且成本高。
发明内容
本发明就是针对上述问题,提供一种输出功率大、体积小且成本低的一种通讯系统中的开关电源。
为实现上述目的,本发明采用如下技术方案,本发明包括处理器、比较模块、漏电保护模块、偏置电路、调节模块、DC/DC芯片、开关电路和输出模块,其特征在于:处理器与比较模块、漏电保护模块和DC/DC芯片相连,漏电保护模块与偏置电路相连、调节模块、开关电路和输出模块相连。
作为一种优选方案,本发明所述DC/DC芯片为LM3224芯片。
本发明有益效果。
本发明处理器与比较模块、漏电保护模块和DC/DC芯片相连,漏电保护模块与偏置电路相连、调节模块、开关电路和输出模块相连。由于LM3224具有很好的性能,外围电路比较简单,用户可以灵活配置外围电路参数来设计所需要的电路。并且,输出功率大、体积小且成本低。
附图说明
为了使本发明所解决的技术问题、技术方案及有益效果更加清楚明白,以下结合附图及具体实施方式,对本发明进行进一步详细说明。应当理解,此处所描述的具体实施方式仅仅用以解释本发明,并不用于限定本发明。
图1是本发明电路原理框图。
具体实施方式
如图所示,本发明包括处理器、比较模块、漏电保护模块、偏置电路、调节模块、DC/DC芯片、开关电路和输出模块,其特征在于:处理器与比较模块、漏电保护模块和DC/DC芯片相连,漏电保护模块与偏置电路相连、调节模块、开关电路和输出模块相连。
所述DC/DC芯片为LM3224芯片。
是美国国家半导体公司宣布推出一款高功率的升压直流/直流转换器,其特点是输入电压范围宽广(2.7V至7V),内置0.15W的开关,及可以通过引脚选择操作频率。LM3224的转换器可为薄膜晶体管(TFT),显示器、液晶显示器(LCD)、手持式电子产品、GSM/CDMA移动电话、数字相机及白光发光二极管闪光灯/电筒提供偏压,是这类电子产品及需要加设升压系统的多种不同电子设备的理想解决方案。LM3224转换器芯片可以将典型的3.3V输入电压转为8V、-8V及23V等多个不同电压输出,因此最适用于为TFT/LCD显示器提供偏压。这款芯片的高电流开关也可用来驱动闪光灯系统的高电流白光发光二极管。LM3224芯片可在615kHz至1.26MHz的开关频率范围内操作,因此较易进行滤波,而且噪音也较低。系统设计工程师也可利用这款芯片的外部补偿引脚设定频率补偿,大大加强设计上的灵活性,让设计工程师可以在输出端加设体积小巧、漏电少的陶瓷电容器。设计工程师也可利用芯片的外部软启动引脚控制启动时所产生的浪涌电流。
它利用PWM控制输出的电压幅度,每一个启动周期,晶振设置好驱动逻辑开启NMOS功率器件导通电路。在这个周期中,Vc管脚上的电控制电感中的尖峰电流,且VC会随着负载的增大而增大。VC上的电压与SW的电压及斜率补偿电压之和进行比较。斜率补偿用在PWM结构中为了消除发生在工作周期50%以上的次级谐波振动。一旦VC管脚上的电压和SW、斜率补偿电压两者之和相等时,PWM比较器重置驱动逻辑,判断NMOS功率管。电感中存储的电流则流过肖特基二极管到负载和输出电容。NMOS功率管在周期结束时被晶振置位,电流再一次流过NMOS功率管。
可以理解的是,以上关于本发明的具体描述,仅用于说明本发明而并非受限于本发明实施例所描述的技术方案,本领域的普通技术人员应当理解,仍然可以对本发明进行修改或等同替换,以达到相同的技术效果;只要满足使用需要,都在本发明的保护范围之内。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于孙仁;,未经孙仁;许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201310596272.8/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。