[发明专利]用于印制电路板及锂离子二次电池的电解铜箔的制造方法

权利要求书

1.用于印制电路板及锂离子二次电池的电解铜箔的制造方法，其特征在于包括以下步骤：

制备添加剂溶液，所述添加剂溶液中聚二硫二丙烷磺酸钠的浓度为10～20ppm、聚乙二醇的浓度为15ppm、盐酸的浓度为1～10ppm、3-巯基-1-丙烷磺酸钠的浓度为0～7ppm；

取硫酸铜电解液，其中铜浓度为50～100g/L、硫酸浓度为为70～140g/L；

将硫酸铜电解液加热到45～60℃后在硫酸铜电解液中加入添加剂溶液，经过均匀搅拌后形成的电解液进入电解槽，所述电解液在所述电解槽内的电流密度为40～80A/dm²，进行电化学反应；

用浓度为0.1～5g/L且pH值小于6.0的铬酸盐溶液对电化学反应后的铜箔进行表面钝化使得电解铜箔表面形成铬膜处理层；

表面钝化后，进行涂硅烷偶联剂处理，硅烷偶联剂中Si含量为500ppm且硅烷偶联剂中氨基类硅烷与环氧基类硅烷比例的范围为1：1～3：1，处理完成后使得电解铜箔表面形成硅烷偶联剂层，即得到用于印制电路板及锂离子二次电池的电解铜箔。

2.根据权利要求1所述的用于印制电路板及锂离子二次电池的电解铜箔的制造方法，其特征在于电解液中铜浓度为80g/L、硫酸浓度为100g/L，将硫酸铜电解液加热到55℃后在硫酸铜电解液中加入添加剂溶液，所述添加剂溶液中聚二硫二丙烷磺酸钠的浓度为20ppm、聚乙二醇浓度为15ppm、盐酸的浓度为10ppm；所述电解液在所述电解槽内的电流密度为50 A/dm²，铬酸盐溶液浓度为4g/L且pH值为5.8，硅烷偶联剂中Si含量为500ppm且硅烷偶联剂中氨基类硅烷与环氧基类硅烷比例为1.5：1。

3.根据权利要求1所述的用于印制电路板及锂离子二次电池的电解铜箔的制造方法，其特征在于电解液中铜浓度为80g/L、硫酸浓度为100g/L，将硫酸铜电解液加热到55℃后在硫酸铜电解液中加入添加剂溶液，所述添加剂溶液中二硫二丙烷磺酸钠的浓度为10ppm、聚乙二醇浓度为15ppm、3-巯基-1-丙烷磺酸钠浓度为7ppm、盐酸浓度为1ppm；所述电解液在所述电解槽内的电流密度为50 A/ dm²，铬酸盐溶液浓度为4.8g/L且pH值为5.2，硅烷偶联剂中Si含量为500ppm且硅烷偶联剂中氨基类硅烷与环氧基类硅烷比例为2.5：1。

4.根据权利要求1所述的用于印制电路板及锂离子二次电池的电解铜箔的制造方法，其特征在于电解液中铜浓度为82g/L、硫酸浓度为120g/L，将硫酸铜电解液加热到60℃后在硫酸铜电解液中加入添加剂溶液，所述添加剂溶液中二硫二丙烷磺酸钠的浓度为15ppm、聚乙二醇浓度为8ppm、盐酸浓度为5ppm；所述电解液在所述电解槽内的电流密度为70 A/ dm²，铬酸盐溶液浓度为2.0g/L且pH值为5.0，硅烷偶联剂中Si含量为500ppm且硅烷偶联剂中氨基类硅烷与环氧基类硅烷比例为3：1。

5.用权利要求1或2或3或4所述方法制得的电解铜箔，其特征在于所述电解铜箔的厚度为6～18μm，S面和M面的粗糙度Rz值均小于等于1.81μm，屈服强度大于等于18kgf/mm²，延伸率大于等于6%，抗剥离强度值大于等于0.8kN/m；电解铜箔表面的铬膜处理层含量为10～40μm/dm²。

6.根据权利要求5所述的电解铜箔，其特征在于所述电解铜箔的厚度为6μm，S面粗糙度Ra值为0.13μm，M面粗糙度Rz值为1.18μm，屈服强度26kgf/ mm²，延伸率为6%。

7.根据权利要求5所述的电解铜箔，其特征在于所述电解铜箔的厚度为12μm，S面粗糙度Ra值为0.14μm，M面粗糙度Rz值为1.37μm，屈服强度27kgf/ mm²，延伸率为6%。

8.根据权利要求5所述的电解铜箔，其特征在于所述电解铜箔的厚度为18μm，S面粗糙度Ra值为0.14μm，M面粗糙度Rz值为1.37μm，屈服强度27kgf/ mm²，延伸率为6%。