[发明专利]用于I/O接口的两级升压转换电路

权利要求书

1.一种用于I/O接口的两级升压转换电路，包括：

第一级升压转换器，所述第一级升压转换器位于一中间电源和一电源地之间，且所述第一级升压转换器根据接收到的一低电源信号输出所述中间电源；

第二级升压转换器，所述第二级升压转换器位于一高压电源和所述电源地之间，且所述第二级升压转换器根据接收到的所述中间电源输出所述高压电源；

其中，所述低电源信号远低于所述高压电源，所述中间电源位于所述低电源信号和高压电源之间，所述低电源信号在所述电源地和中间电源之间的电压摆动。

2.如权利要求1所述的用于I/O接口的两级升压转换电路，其特征在于，所述第一级升压转换器包括：

低压CMOS反相器、第一中间电源NMOS晶体管和第二中间电源NMOS晶体管、以及第一中间电源PMOS晶体管和第二中间电源PMOS晶体管；

所述第一中间电源NMOS晶体管的漏极和第一中间电源PMOS晶体管的漏极相连接至第二中间电源PMOS晶体管的栅极，所述第一中间电源NMOS晶体管的栅极和低压CMOS反相器的正极相连接至用于接入所述低电源信号的输入端，所述第二中间电源NMOS晶体管的漏极和第二中间电源PMOS晶体管的漏极相连接至第一中间电源PMOS晶体管的栅极且作为用于输出所述中间电源的第一级输出端，所述第二中间电源NMOS晶体管的栅极和低压CMOS反相器的负极相连接，所述第一中间电源NMOS晶体管的源极和第二中间电源NMOS晶体管的源极相连至所述电源地，所述第一中间电源PMOS晶体管的源极和第二中间电源PMOS晶体管的源极相连接并与所述中间电源相连。

3.如权利要求2所述的用于I/O接口的两级升压转换电路，其特征在于，所述第二级升压转换器包括：

中间电源CMOS反相器、第一高压NMOS晶体管和第二高压NMOS晶体管、以及第一高压PMOS晶体管和第二高压PMOS晶体管；

所述第一高压NMOS晶体管的漏极和第一高压PMOS晶体管的漏极相连接至第二高压PMOS晶体管的栅极，所述第一高压NMOS晶体管的栅极和低压CMOS反相器的正极相连接至所述第一级输出端，所述第二高压NMOS晶体管的漏极和第二高压PMOS晶体管的漏极相连接至第一高压PMOS晶体管的栅极且作为用于输出所述高压电源的第二级输出端，所述第二高压NMOS晶体管的栅极和低压CMOS反相器的负极相连接，所述第一高压NMOS晶体管的源极和第二高压NMOS晶体管的源极相连至所述电源地，所述第一高压PMOS晶体管的源极和第二高压PMOS晶体管的源极相连接并与所述高压电源相连。

4.如权利要求2所述的用于I/O接口的双级升压转换电路，其特征在于，所述第一中间电源NMOS晶体管和第二中间电源NMOS晶体管均具有第一阈值电压，所述第一阈值电压低于所述低电源信号。

5.如权利要求2所述的用于I/O接口的双级升压转换电路，其特征在于，所述第一中间电源PMOS晶体管和第二中间电源PMOS晶体管均具有第二阈值电压，所述第二阈值电压低于所述中间电源。

6.如权利要求3所述的用于I/O接口的降压转换电路，其特征在于，所述第一高压NMOS晶体管和第二高压NMOS晶体管均具有第三阈值电压，所述第三阈值电压低于所述中间电源且高于所述低电源信号。

7.如权利要求3所述的用于I/O接口的降压转换电路，其特征在于，所述第一高压PMOS晶体管和第二高压PMOS晶体管均具有第四阈值电压，所述第四阈值电压低于所述高压电源。