[发明专利]电压控制振荡器有效
申请号: | 201310537843.0 | 申请日: | 2013-11-04 |
公开(公告)号: | CN103560752B | 公开(公告)日: | 2017-12-01 |
发明(设计)人: | 李永胜 | 申请(专利权)人: | 威盛电子股份有限公司 |
主分类号: | H03B5/04 | 分类号: | H03B5/04 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙)11277 | 代理人: | 刘新宇 |
地址: | 中国台湾新北*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电压 控制 振荡器 | ||
1.一种电压控制振荡器,其特征在于,基于一第一控制信号产生一振荡信号,且包括:
一控制信号调整器,接收该第一控制信号且根据该第一控制信号产生一第二控制信号以及一第三控制信号,所产生的该第二控制信号的电压电平高于该第一控制信号的电压电平,且所产生的该第三控制信号的电压电平高于该第二控制信号的电压电平;以及
多个延迟单元,采用环形连结,且由上述第一控制信号、第二控制信号以及第三控制信号控制,以产生上述振荡信号,其中,各延迟单元包括:
第一组电流产生晶体管,其中各晶体管以一第一控制端接收该第一控制信号;
第二组电流产生晶体管,其中各晶体管以一第二控制端接收该第二控制信号;以及
第三组电流产生晶体管,其中各晶体管以一第三控制端接收该第三控制信号,
其中,该控制信号调整器包括:
一电流镜,随着一电流源产生一第一镜射电流以及一第二镜射电流;
一第十P沟道晶体管,包括耦接该第一镜射电流的一源极、连接该第一控制信号的一栅极、以及连接地端电位的一漏极;以及
一第十一P沟道晶体管,包括耦接该第二镜射电流的一源极、连接该第十P沟道晶体管的该源极的一栅极、以及连接地端电位的一漏极,
其中,该第二控制信号产生于该第十P沟道晶体管的该源极,且该第三控制信号产生于该第十一P沟道晶体管的该源极。
2.根据权利要求1所述的电压控制振荡器,其特征在于,所产生的该第二控制信号比该第一控制信号高出一第一临界电压,且所产生的该第三控制信号比该第二控制信号高出一第二临界电压。
3.根据权利要求1所述的电压控制振荡器,其特征在于,该电流镜包括:
一第七P沟道晶体管,包括耦接一电压电源的一源极,且包括皆耦接该电流源的一栅极以及一漏极;
一第八P沟道晶体管,包括耦接该电压电源的一源极、耦接该第七P沟道晶体管的该栅极的一栅极、以及输出该第一镜射电流的一漏极;以及
一第九P沟道晶体管,包括耦接该电压电源的一源极、耦接该第七P沟道晶体管的该栅极的一栅极、以及输出该第二镜射电流的一漏极。
4.根据权利要求1所述的电压控制振荡器,其特征在于,各延迟单元还包括耦接上述第一组电流产生晶体管、上述第二组电流产生晶体管以及上述第三组电流产生晶体管的一差动输入/输出电路,且该差动输入/输出电路包括:
一第三P沟道晶体管,包括作为一第一差动输入端的一栅极、耦接一电压电源的一源极、以及一漏极;
一第四P沟道晶体管,包括作为一第二差动输入端的一栅极、耦接该电压电源的一源极、以及一漏极;
一第五P沟道晶体管,包括耦接该第四P沟道晶体管的该漏极以作为一第一差动输出端的一栅极、耦接该电压电源的一源极、以及耦接该第三P沟道晶体管的该漏极的一漏极;以及
一第六P沟道晶体管,包括耦接该第三P沟道晶体管的该漏极以作为一第二差动输出端的一栅极、耦接该电压电源的一源极、以及耦接该第四P沟道晶体管的该漏极的一漏极。
5.根据权利要求4所述的电压控制振荡器,其特征在于,
上述各延迟单元的上述第一组电流产生晶体管包括:
一第一N沟道晶体管,包括接收该第一控制信号的一栅极、耦接地端电位的一源极、以及耦接上述第三P沟道晶体管以及第五P沟道晶体管的上述漏极的一漏极;以及
一第二N沟道晶体管,包括接收该第一控制信号的一栅极、耦接地端电位的一源极、以及耦接上述第四P沟道晶体管以及第六P沟道晶体管的上述漏极的一漏极;
上述各延迟单元的上述第二组电流产生晶体管包括:
一第三N沟道晶体管,包括接收该第二控制信号的一栅极、耦接地端电位的一源极、以及耦接上述第三P沟道晶体管以及第五P沟道晶体管的上述漏极的一漏极;以及
一第四N沟道晶体管,包括接收该第二控制信号的一栅极、耦接地端电位的一源极、以及耦接上述第四P沟道晶体管以及第六P沟道晶体管的上述漏极的一漏极;以及
上述各延迟单元的上述第三组电流产生晶体管包括:
一第五N沟道晶体管,包括接收该第三控制信号的一栅极、耦接地端电位的一源极、以及耦接上述第三P沟道晶体管以及第五P沟道晶体管的上述漏极的一漏极;以及
一第六N沟道晶体管,包括接收该第三控制信号的一栅极、耦接地端电位的一源极、以及耦接上述第四P沟道晶体管以及第六P沟道晶体管的上述漏极的一漏极。
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