[发明专利]一种用于反应腔的屏蔽结构

权利要求书

1.一种用于反应腔的屏蔽结构，所述反应腔包括介质窗，其特征在于，所述屏蔽结构包括遮挡件和遮挡层，所述遮挡层设置在所述介质窗的内壁上，且所述遮挡层包括至少一个缺口，以使所述遮挡层在周向上不连续，所述遮挡件设置在所述介质窗的内壁上并位于所述缺口中，且所述遮挡件凸出于所述介质窗的内壁，所述遮挡件与所述遮挡层之间形成有射频能量传送通道。

2.根据权利要求1所述的屏蔽结构，其特征在于，所述遮挡件覆盖所述缺口。

3.根据权利要求1所述的屏蔽结构，其特征在于，所述遮挡件包括遮挡部和连接部，所述遮挡部与所述连接部固定连接，所述连接部固定设置在所述介质窗的内壁上并位于所述缺口中，所述遮挡部延伸至覆盖所述遮挡层边缘。

4.根据权利要求1所述的屏蔽结构，其特征在于，所述遮挡件为与所述缺口一一对应。

5.根据权利要求4所述的屏蔽结构，其特征在于，所述缺口在所述介质窗的内壁壁上关于所述反应腔的中心轴线对称分布。

6.根据权利要求5所述的屏蔽结构，其特征在于，所述缺口为4个，且所述4个缺口在所述介质窗的内壁上关于所述反应腔的中心轴线为十字对称分布。

7.根据权利要求1所述的屏蔽结构，其特征在于，所述遮挡层和/或所述遮挡件的材质为金属良导体。

8.根据权利要求7所述的屏蔽结构，其特征在于，所述遮挡层由所述金属良导体喷涂在所述介质窗的内壁上形成。

9.根据权利要求1至8中任意一项所述的屏蔽结构，其特征在于，所述遮挡层的厚度为0.5-2mm。

10.根据权利要求1至8中任意一项所述的屏蔽结构，其特征在于，所述遮挡层和所述遮挡件表面形成有凸起和/或凹坑。