[发明专利]一种增强隔离度电路有效
申请号: | 201310530408.5 | 申请日: | 2013-10-31 |
公开(公告)号: | CN104601196A | 公开(公告)日: | 2015-05-06 |
发明(设计)人: | 林志明;郑志彬;刘宝元 | 申请(专利权)人: | 环胜电子(深圳)有限公司 |
主分类号: | H04B1/525 | 分类号: | H04B1/525 |
代理公司: | 上海硕力知识产权代理事务所 31251 | 代理人: | 王建国 |
地址: | 518057 广东省深*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 增强 隔离 电路 | ||
技术领域
本发明涉及无线通讯领域,尤其涉及一种增强Tx/Rx切换区间隔离度的电路。
背景技术
无线局域网络(Wireless Local Area Network,WLAN)收发机具有半双工的机制,其工作状态在接收Rx和发射Tx之间进行切换,但不能同时工作在Rx状态和Tx状态。Rx状态和Tx状态不能相互干扰,即Tx链路和Rx链路需要良好的隔离。
现有的收发机操作在Tx状态时,会透过一控制信号将低噪音放大器(Low-Noise Amplifier,LNA)关闭,或者引入一开关电路,在低噪音放大器LNA不工作时对其断电,以此来提高Tx/Rx链路的隔离度,避免回路失真,反之亦然。
但Tx/Rx的控制信号Tx/Rx Enable Signal若同时用来控制该开关电路,如DC switch,若是DC switch设计不良的话,例如延迟时间太长,则无法立即断电,从而由于断电延迟导致回路失真。
在Tx/Rx切换区间,通常Rx控制信号Rx Enable Signal关闭后会隔一段保护时间tguard再开启Tx控制信号Tx Enable Signal来避免Tx/Rx切换区间时的回路失真,反之亦然。如图1A所示,如果DC switch设计不良,那么当Rx控制信号Rx Enable Signal关闭后,DC switch的输出电压DC switch Vout并不能立刻拉至关闭状态,而是呈现缓慢的下降,此时Tx控制信号Tx Enable Signal在经过tguard时间的延迟后开启,依然会存在Tx/Rx链路都为工作状态时段tTx/Rxen。此种回路失真是由Rx链路的DC switch的输出信号的电压下降时间太长所引起的。
相对的,若是Tx链路也使用DC switch来控制功率放大器(Power Amplifier,PA)的给电与否,而DC switch输出电压DC switch Vout下降缓慢,那么在Tx控制信号Tx Enable Signal关闭且Rx控制信号Rx Enable Signal开启的切换区间内同样会产生回路失真,如图1B所示。
因此,如果控制低噪音放大器LNA或功率放大器PA的开关电路设计不良,其电压下降时间太长而超过保护时间tguard的话,不管操作在Tx状态还是Rx状态,在Tx/Rx切换的过程中,都会产生严重的回路失真。
发明内容
针对现有技术中存在的问题,本发明提供了一种增强Tx/Rx切换区间隔离度的电路,可大幅缩短开关电路的电压下降时间,同时,该增强隔离度的电路还提供了保护机制避免发射链路和接收链路同时工作,彻底解决了回路失真问题。
为了达到上述目的,本发明提供了一种增强隔离度电路,用于增强Tx链路和Rx链路切换区间的隔离度,所述Tx链路和所述Rx链路的工作与否分别受控于Tx控制信号和Rx控制信号,所述Tx/Rx控制信号关闭后等待一保护时间再开启所述Rx/Tx控制信号,所述增强隔离度电路包括一供电电路,所述供电电路受控于所述Tx/Rx控制信号,在所述Tx/Rx控制信号使能时,对所述Tx/Rx链路供电,在所述Tx/Rx控制信号不使能时,对所述Tx/Rx链路断电,其特征在于,还包括:
一放电电路,所述放电电路与所述供电电路的该电压输出端相连,所述放电电路的工作与否受控于所述Tx/Rx控制信号;以及
一反相电路,所述反相电路连接在所述Tx/Rx控制信号和所述放电电路之间,用于将所述Tx/Rx控制信号作反相处理后再控制所述放电电路,从而在所述Tx/Rx控制信号使能时,所述放电电路不工作,在所述Tx/Rx控制信号不使能时,所述放电电路对所述供电电路的该电压输出端进行放电。
进一步优选地,所述放电电路的放电时间小于所述保护时间。
进一步优选地,所述放电电路包括一n-MOS,其源极接地,漏极与所述供电电路的该电压输出端相连,栅极通过所述反相电路与所述Tx/Rx控制信号相连。
可替换地,所述放电电路包括一npn-BJT,其发射极接地,集电极与所述供电电路的该电压输出端相连,基极通过所述反相电路与所述Tx/Rx控制信号相连。
进一步优选地,所述反相电路为一反相器。
可替换地,所述放电电路包括第二n-MOS和第二电阻,所述第二n-MOS的源极接地,漏极与所述供电电路的该电压输出端相连,所述第二电阻连接在所述第二n-MOS的栅极和地之间;
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