[发明专利]参考电压产生电路在审
申请号: | 201310492861.1 | 申请日: | 2013-10-18 |
公开(公告)号: | CN103792980A | 公开(公告)日: | 2014-05-14 |
发明(设计)人: | 光石翔;铃木登志生;田上浩康;执行信彦 | 申请(专利权)人: | 索尼公司 |
主分类号: | G05F1/56 | 分类号: | G05F1/56 |
代理公司: | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人: | 余刚;吴孟秋 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 参考 电压 产生 电路 | ||
相关申请的交叉引用
本申请要求于2012年10月26日提交的日本在先专利申请JP2012-236578的权益,其全部内容通过引用结合于此。
技术领域
本申请涉及一种参考电压产生电路,其不依赖于电源电位而产生恒定的参考电压。
背景技术
在过去众所周知,带隙基准电路(在下文中,称作BGR电路)可作为不依赖于电源供电电压而产生恒定参考电压的电路。
在BGR电路中,通过被称为微调(trimming)的调整,进行调整从而尽可能地抑制由温度引起的电压波动,并且BGR电路被用于主要温度特性(primary temperature characteristics)被取消的状态。然而,基极-发射极电压Vbe的二次温度特性(以及二次以上非线性温度特性)的消除是困难的,因此依靠一种应用,二次温度特性看起来似乎是很大的误差。在这方面,提出了消除二次温度特性的几个方法(见日本专利申请公开No.Hei11-219233(在下文中,称作专利文献1),以及由Piero Malcovati和Franco Maloberti发表的文章,题为“Curvature-Compensated BICMOS Bandgap with1-V Supply Voltage”,IEEE JOURNAL OF SOLID-STATE CIRCUITS,VOL.36,NO.7,JULY2001(在下文中,称作非专利文献1))。
发明内容
然而,在专利文献1中公开的BGR电路存在一个缺点就是需要复杂的电路。此外,在非专利文献1中公开的BGR电路也有缺点,当二次温度特性的消除正在被实现时,有必要在微调主要温度特性的过程中抖动并且检查温度,因此导致成本增加。
考虑到如上所述情况,有必要提供产生参考电压的参考电压产生电路,该参考电压产生电路不依赖于电源电位,能够通过简单的电路结构使二次温度特性得以消除,并且更加理想地,在室温下将容易地执行主要温度特性的微调。
根据本公开的一个实施方式,提供了参考电压产生电路,包括第一电路,该第一电路包括串联连接的可变电阻器和PN结器件。使第一电流流过串联连接的可变电阻器和PN结器件,该第一电流具有与PN结器件的端间(inter-terminal)电压的温度特性的非线性分量对应的温度特性。
在参考电压产生电路中,第一电流流过第一电路,该第一电流具有与PN结器件的端间电压的温度特性中的非线性分量相同的温度特性。因为第一电流流过第一电路,所以在第一电路的可变电阻器产生由于PN结器件的二次以上温度特性所导致的负电压与正电压。因此,在第一电路中,产生已经抑制了由于第一电路的PN结器件的端间电压的二次以上温度特性导致的电压波动的电压。换言之,有可能以简单电路结构产生已消除了二次温度特性的电压。
应注意,在参考电压产生电路被结合到另一设备(半导体器件、电子设备等)或者以其他方法体现参考电压产生电路的状态中,本公开的实施方式不限于参考电压产生电路并且包括类似体现参考电压产生电路的各种实施方式。
根据本公开的实施方式,可提供能够以简单电路结构消除二次温度特性并且在室温下容易地进行对主要温度特性微调的参考电压产生电路。
如附图所示,从以下具体实施方式的最佳模式的实施方式来看本公开的这些以及其他的目标、特征与优点将变得更加清晰可见。
附图说明
图1是示出了根据本发明实施方式的参考电压产生电路的结构实例的示图;
图2是用于说明流过电阻器R1的电流的温度特性的示图;
图3是用于说明流过电阻器R3的电流的温度特性的示图;
图4是用于说明流过第四节点的电流的温度特性的示图;
图5是根据实施方式的为了说明参考电压Vbgr的微调的示图;
图6是示出了根据变形例1的参考电压产生电路的结构实例的示图;以及
图7是示出了根据变形例2的参考电压产生电路的结构实例的示图。
具体实施方式
在下文中,将按以下顺序描述本公开的实施方式。
(1)参考电压产生电路的结构;
(2)变形例1;
(3)变形例2;
(4)小结。
(1)参考电压产生电路的结构:
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