[发明专利]在电阻式随机存取存储器单元中形成接触以降低单元编程所需电压的方法和装置有效

专利信息
申请号: 201310488552.7 申请日: 2013-10-15
公开(公告)号: CN103730571B 公开(公告)日: 2018-07-27
发明(设计)人: P·苏塔尔德加;吴亚伯;W·李;P·李;常润滋 申请(专利权)人: 马维尔国际贸易有限公司
主分类号: H01L45/00 分类号: H01L45/00;H01L27/24;G11C13/00
代理公司: 北京市金杜律师事务所 11256 代理人: 酆迅
地址: 巴巴多斯*** 国省代码: 巴巴多斯;BB
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摘要:
搜索关键词: 电阻 随机存取存储器 单元 形成 接触 降低 编程 电压 方法 装置
【权利要求书】:

1.一种电阻式随机存取存储器的单元,所述单元包括:

电阻式元件,其中所述电阻式元件包括(i)第一电极和(ii)第二电极;以及

存取器件,被配置为选择和取消选择所述单元,其中所述存取器件包括(i)连接至第一接触的第一端子和(ii)连接至第二接触的第二端子,并且其中所述第二接触经由第三接触连接至所述电阻式元件的所述第二电极,

其中所述第三接触包括(i)与所述第二接触相接触的第一表面和(ii)与所述第二电极相接触的第二表面,

其中(i)所述第一表面限定第一表面面积,并且(ii)所述第二表面限定第二表面面积,并且

其中所述第一表面面积大于所述第二表面面积。

2.根据权利要求1所述的单元,其中所述第三接触具有棱锥或圆锥的形状。

3.根据权利要求1所述的单元,还包括在所述第二接触与所述第三接触的所述第一表面之间的接口金属层。

4.根据权利要求1所述的单元,其中所述第三接触被部分地蚀刻以减小所述第三接触的体积。

5.根据权利要求1所述的单元,其中所述电阻式元件包括:

与所述第二电极相邻布置的第一过渡金属氧化物层,以及

与(i)所述第一过渡金属氧化物层和(ii)所述第一电极相邻布置的第二反应金属层。

6.根据权利要求5所述的单元,其中所述第一过渡金属氧化物层在靠近所述第一过渡金属氧化物层的中心处相对于所述第一过渡金属氧化物层的其余部分处而言更薄。

7.根据权利要求5所述的单元,其中所述电阻式元件的所述第一电极连接至第四接触,并且其中连接至所述存取器件的所述第一端子的所述第一接触经由第五接触连接至位线。

8.根据权利要求7所述的单元,其中第六接触被布置于(i)连接至所述存取器件的所述第一端子的所述第一接触与(ii)所述第五接触之间,并且其中所述第六接触具有所述第三接触的结构。

9.根据权利要求1所述的单元,其中所述电阻式元件被配置为(i)响应于跨所述第一电极和所述第二电极施加第一电压而具有第一电阻,并且(ii)响应于跨所述第一电极和所述第二电极施加第二电压而具有第二电阻。

10.根据权利要求1所述的单元,其中所述存取器件还包括连接至字线的控制端子。

11.一种用于连接电阻式随机存取存储器的单元的元件的方法,其中所述单元的所述元件包括(i)存取器件和(ii)电阻式元件,其中所述存取器件包括(i)第一端子和(ii)第二端子,其中所述电阻式元件包括(i)第一电极和(ii)第二电极,并且其中所述存取器件用来选择和取消选择所述单元,所述方法包括:

将所述存取器件的(i)所述第一端子和(ii)所述第二端子分别连接至(i)第一接触和(ii)第二接触;并且

将所述存取器件的所述第二接触经由第三接触连接至所述电阻式元件的所述第二电极,

其中所述第三接触包括(i)与所述第二接触相接触的第一表面和(ii)与所述第二电极相接触的第二表面,

其中(i)所述第一表面限定第一表面面积,并且(ii)所述第二表面限定第二表面面积,并且

其中所述第一表面面积大于所述第二表面面积。

12.根据权利要求11所述的方法,其中所述第三接触具有棱锥或圆锥的形状。

13.根据权利要求11所述的方法,还包括在所述第二接触与所述第三接触的所述第一表面之间布置接口金属层。

14.根据权利要求11所述的方法,还包括部分地蚀刻所述第三接触以减小所述第三接触的体积。

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