[发明专利]一种电容器在审

专利信息
申请号: 201310474929.3 申请日: 2013-10-12
公开(公告)号: CN104143443A 公开(公告)日: 2014-11-12
发明(设计)人: 宋刚 申请(专利权)人: 成都精容电子有限公司
主分类号: H01G9/042 分类号: H01G9/042;H01G9/052
代理公司: 代理人:
地址: 610000 四*** 国省代码: 四川;51
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 一种 电容器
【说明书】:

技术领域

发明涉及一种电容器,具有等效串联电阻低和漏电流起始不合格率小的优异特性。

背景技术

随着电子设备的高频化,在作为电子部件之一的电容器中,要求在高频区的阻抗特性优异的大容量电容器。最近,为了降低该高频区的阻抗,开始对使用电导率高的导电性高分子的电解电容器进行研究并进行制品化。电解电容器具备:阳极箔、在阳极箔的表面形成的电介体覆膜和在电介体覆膜上形成的导电性高分子层。阳极箔的表面经过粗面化,并形成有多个孔。作为形成导电性高分子层的方法,除了化学聚合及电解聚合之外,还包括使预先形成的导电性高分子粒子含浸于电容器元件的分散法。就化学聚合而言,有时会因氧化剂的存在而损伤电介体覆膜。另外,对于化学聚合及电解聚合而言,难以均匀地形成导电性高分子层。这样一来,会较厚地形成导电性高分子层,使用大量的导电性高分子。小分子有机化合物,特别是小分子有机化合物晶体与聚合物相比具有制备简单,涂层均匀,成品率高,且方便 有效的特点,因此仍然需要开发使用有机小分子化合物,特别是有机小分子化合物晶体电解电容器。

用于电子仪器如便携电话和个人电脑中的电容器要求具有小尺寸和大电容量。在这些电容器中,钽电容器是优选的,因为相对于其尺寸,电容量大且性能好。此外,近年来,要求电子器件在低电压和高频率下操作,并具有低噪音,并且对于固体电解质电容器,还要求较低的等效并联电阻(ESR)。在这种钽电容器中,钽粉末的烧结体一般被用作阳极部分。将这种粉末成形,然后烧结,从而使所述粉末整体化并制成被称为烧结体的电极。这种烧结体内部由相互之间电和机械连结的粉末颗粒形成三维复杂的结构,在该烧结体包括内部孔隙表面的表面,形成介电薄膜层,浸渍作为对电极的材料,从而制备一种电容器。只要介电薄膜层均匀结合到所述烧结体的内表面或外表面,所制造的电容器的电容量在微观上就主要取决于对 电极材料与介电薄膜层的接触状态。为了提高钽电容器的电容量,必须提高烧结体的质量或者使用通过破碎钽粉而增大了表面积的烧结体。

发明内容

电解电容器的一般制造方法包含如下步骤:准备具有表面的阳极箔、在阳极箔的表面形成的多个孔以及在阳极箔的表面形成的电介体覆膜的步骤;使阳极箔含浸于含有第一导电性高分子粒子和第一溶剂的第一分散体溶液,在电介体覆膜的表面形成第一导电性高分子层的步骤;以及,使阳极箔含浸于含 有第二导电性高分子粒子和第二溶剂的第二分散体溶液,形成覆盖第一导电性高分子层的第二导电性高分子层的步骤,其中,与所述第一分散体溶液相比,所述第二分散体溶液的pH与7相差更远。

本发明的目的是提供一种单位质量电容量大、泄漏电流小且耐湿性高的电容器;一种可以用作该电容器的电极材料且能够获得高电容量表观比的烧结体;一种作为该烧结体的材料优选的、在成形操作中表现出良好流动性、促进连续成形且能稳定生产电容器的铌粉;和所述电容器、所述烧结体和所述铌粉的制造方法。

本发明提供了一种电容器,一种电容器,其包括一个电极、一个对电极和介电材料,所述电极为包括体积为10mm3的铌烧结体,所述介电材料包含氧化铌,所述对电极是有机半导体,其包括下述结构的有机化合物:

I,

其具有2θ在约5.87、8.10、9.72、10.20、11.35、12.78、14.39、16.84、17.57、18.44、19.22、21.39、22.82、23.73、24.78、25.23、26.65、27.43、28.82、29.12、30.42、31.21、32.95、33.89、36.08、38.72、39.86处的X射线粉末衍射图。

附图说明

图1是式I化合物的X射线衍射图谱。

具体实施方式

下面通过实施例对本发明作进一步说明。应该理解的是,本发明实施例所述制备方法仅仅是用于说明本发明,而不是对本发明的限制,在本发明的构思前提下对

本发明制备方法的简单改进都属于本发明要求保护的范围。实施例中用到的所有原料和溶剂均购自Sigma Biochemical and Organic Compounds for Research and Diagnostic Clinical Reagents公司。

在粉末X 射线衍射(XRD) 中,使用Cu Kα1 作为X 射线管,在室温下使用粉末X射线衍射装置RINT2200/Ultima+(RIGAKU) 或X' Pert Pro MPD(PANalytical) 在2°至35°的2θ衍射角范围内进行测量。对于所使用的每个衍射装置而言,测量条件如下。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于成都精容电子有限公司,未经成都精容电子有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201310474929.3/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top