[发明专利]一种低通滤波器

权利要求书

1.一种低通滤波器，其特征在于，包括沿光路方向依次设置的第一石英晶体片、四分之一波片、第二石英晶体片，其中，在所述第一石英晶体片的光线入射侧表面上镀有红外截止膜，在所述第二石英晶体片的光线出射侧表面上镀有受抑波长漂移膜。

2.根据权利要求1所述的低通滤波器，其特征在于，所述的红外截止膜包括交替分布的高折射率层和低折射率层，所述的高折射率层为Ti₃O₅层、Nb₂O₅层或ZnS层，所述的低折射率层为SiO₂层。

3.根据权利要求1或2所述的低通滤波器，其特征在于，所述的红外截止膜包括总数为44层，且为交替分布的高折射率层Ti₃O₅和低折射率层SiO₂，其中，从第一石英晶体片开始各层的厚度依次为12.63、35.09、76.55、9.28、29.64、340.5、97.77、133.0、88.22、128.9、87.1、127.4、86.4、127.6、85.39、129.0、84.36、131.5、84.0、133.8、83.17、136.7、84.19、142.5、91.87、162.5、113.8、176.3、104.2、160.3、109.6、180.9、114.0、167.8、103.1、170.8、116.6、180.4、109.0、153.8、18.6、6.91、70.51、79.14，单位为nm。

4.根据权利要求1所述的低通滤波器，其特征在于，所述的受抑波长漂移膜包括从所述第二石英晶体片向外依次设置的第一匹配膜系、主膜系和第二匹配膜系，其中，所述的第一匹配膜系包括交替分布的低折射率层SiO₂和高折射率层Ti₃O₅，所述的主膜系包括交替分布的低折射率层SiO₂和高折射率层Ti₃O₅，所述的第二匹配膜系包括交替分布的高折射率层Ti₃O₅和低折射率层SiO₂以及插在高折射率层Ti₃O₅和低折射率层SiO₂之间的中间折射率层Ta₂O₅或HfO₂。

5.根据权利要求4所述的低通滤波器，其特征在于，所述的第一匹配膜系中低折射率层SiO₂的厚度为16～318nm，所述的第一匹配膜系中高折射率层Ti₃O₅的厚度为15～165nm；

所述的主膜系中低折射率层SiO₂的厚度为48～93nm，所述的主膜系中高折射率层Ti₃O₅的厚度为274～295nm；

所述的第二匹配膜系中高折射率层Ti₃O₅的厚度为29nm～135nm，所述的第二匹配膜系中低折射率层SiO₂的厚度为22nm～113nm，所述的第二匹配膜系中中间折射率层Ta₂O₅或HfO₂的厚度为80～85nm。