[发明专利]多晶硅片的制绒辅助剂及制绒工艺有效

专利信息
申请号: 201310467329.4 申请日: 2013-10-09
公开(公告)号: CN104562011B 公开(公告)日: 2018-06-26
发明(设计)人: 吴新正;陈静;胡彭年;张愿成;朱旭;张军;赵欣侃 申请(专利权)人: 上海太阳能工程技术研究中心有限公司
主分类号: C23F1/24 分类号: C23F1/24
代理公司: 上海科盛知识产权代理有限公司 31225 代理人: 杨元焱
地址: 200241 *** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 制绒 多晶硅片 辅助剂 去离子水 制绒工艺 冲洗 配制 反射率 表面活性剂溶液 体积百分比 电池效率 酸腐蚀 无毒性 乙二酸 吹干 碱洗 酸洗 应用
【权利要求书】:

1.一种多晶硅片的制绒辅助剂,其特征在于,由以下组分按体积百分比配制而成:

表面活性剂溶液 15%~25%;

乙二酸溶液 20%~30%;

去离子水 45%~65%;

所述表面活性剂选自全氟烷基羧酸、全氟烷基胺及全氟烷基聚醚的复配。

2.根据权利要求1所述的多晶硅片的制绒辅助剂,其特征在于:所述表面活性剂溶液中,表面活性剂的重量百分含量为0.5~2%。

3.根据权利要求1所述的多晶硅片的制绒辅助剂,其特征在于:所述乙二酸溶液中,乙二酸的重量百分含量为1%~5%。

4.采用权利要求1所述多晶硅片的制绒辅助剂的制绒工艺,其特征在于,包括以下顺序进行的步骤:

(a)配制制绒辅助剂

将表面活性剂溶液、乙二酸溶液和去离子水按照所述体积百分比配制成制绒辅助剂;

(b)酸腐蚀

在常用多晶制绒硝酸和氢氟酸混合液中,加入制绒辅助剂,配制成酸腐蚀液,其中制绒辅助剂的加入体积为酸腐蚀液总体积的5%,然后向酸腐蚀液中投入硅片进行酸腐蚀;

(c)第一次去离子水冲洗

取出硅片,用去离子水清洗硅片表面剩余的酸及有机物;

(d)碱洗

用碱液洗涤硅片,去除酸腐蚀后在硅片表面形成的多孔硅;

(e)第二次去离子水冲洗

用去离子水清洗硅片表面剩余的碱;

(f)酸洗

用酸液洗涤硅片,中和硅片表面剩余的碱,以及去除重金属离子;

(g)第三次去离子水冲洗

用去离子水清洗硅片表面剩余的酸;

(h)吹干

将硅片吹干;

所述表面活性剂选自全氟烷基羧酸、全氟烷基胺及全氟烷基聚醚的复配。

5.根据权利要求4所述的制绒工艺,其特征在于:所述表面活性剂溶液中,表面活性剂的重量百分含量为0.5~2%。

6.根据权利要求4所述的制绒工艺,其特征在于:所述乙二酸溶液中,乙二酸的重量百分含量为1%~5%。

7.根据权利要求4所述的制绒工艺,其特征在于:步骤(b)中的酸腐蚀温度为5~25,℃腐蚀时间为60~200s;步骤(d)中的碱洗温度为30~℃40,℃碱洗时间为15~45s。

8.根据权利要求7所述的制绒工艺,其特征在于:步骤(b)中的酸腐蚀温度为5~10℃,腐蚀时间为100~150s。

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