[发明专利]一种信息存储装置及方法

权利要求书

1.一种信息存储装置，其特征在于，包括：

磁轨道，所述磁轨道由多个磁畴组成，每个磁畴划分为至少两个磁性区，所述每个磁畴的至少两个磁性区中的每个磁性区由具有不同磁化阈值的材料形成，所述磁化阈值为改变磁性区的磁场方向所需的最小外界磁场强度；

写入单元，设置于所述磁轨道上，通过所述写入单元在每个磁畴的至少两个磁性区中写入信息；

读取单元，设置于所述磁轨道上，通过所述读取单元读取在每个磁畴的至少两个磁性区中写入的信息。

2.如权利要求1所述的装置，其特征在于，所述每个磁畴中的至少两个磁性区中的每个磁性区具有相同的磁场方向。

3.如权利要求1所述的装置，其特征在于，所述写入单元生成第一感应磁场P₁，并通过所述第一感应磁场改变所述至少两个磁性区中的第一磁性区的磁场方向来将信息写入所述第一磁性区中，P₁大于所述第一磁性区的磁化阈值K₁；或

所述写入单元生成第二感应磁场P₂，并通过所述第二感应磁场改变所述至少两个磁性区中的第一磁性区以及第二磁性区中的磁场方向来将信息写入到所述第一磁性区以及所述第二磁性区域中，P₂大于第二磁性区的磁化阈值K₂；或

所述写入单元先后生成第二感应磁场P₂以及第一感应磁场P₁，通过所述第二感应磁场改变所述至少两个磁性区中第一磁性区以及第二磁性区的磁场方向来将待写入到第二磁性区的信息写入到所述第二磁性区中，并通过所述第一感应磁场再次改变所述第一磁性区中的磁场方向来将待写入到第一磁性区的信息写入到所述第一磁性区中，P₂＞P₁。

4.如权利要求1所述的装置，其特征在于，所述写入单元包括至少两个写入元件，所述至少两个写入元件中的第一写入元件设置于所述至少两个磁性区中的第一磁性区的表面上，所述至少两个写入元件中的第二写入元件设置于所述至少两个磁性区中的第二磁性区的表面上，通过所述第一写入元件向所述第一磁性区内写入信息，通过所述第二写入元件向所述第二磁性区内写入信息。

5.如权利要求1所述的装置，其特征在于，所述读取单元包括至少两个读取元件，所述至少两个读取元件中的第一读取元件设置于所述至少两个磁性区中的第一磁性区的表面上，所述至少两个读取元件中的第二读取元件设置于所述至少两个磁性区中的第二磁性区的表面上，通过所述第一读取元件读取所述第一磁性区中写入的信息，通过所述第二读取元件读取所述第二磁性区中写入的信息。

6.如权利要求1所述的装置，其特征在于，所述装置还包括：

驱动单元，与所述磁轨道连接，向所述磁轨道输入脉冲电流，驱动所述磁畴中的至少两个磁性区中的每个磁性区同向移动。

7.一种信息存储方法，其特征在于，包括：

检测到预定脉冲电流时，将磁轨道上包含至少两个磁性区的每个磁畴移动至写入单元对应的位置，所述每个磁畴的至少两个磁性区中的每个磁性区由具有不同磁化阈值的材料形成，所述磁化阈值为改变磁性区的磁场方向所需的最小外界磁场强度；

通过所述写入单元在所述至少两个磁性区中写入信息；

通过读取单元读取所述至少两个磁性区中写入的信息。

8.如权利要求7所述的方法，其特征在于，通过所述写入单元在所述至少两个磁性区中写入信息，包括：

通过所述写入单元生成的第一感应磁场改变所述至少两个磁性区中的第一磁性区磁场方向来将信息写入所述第一磁性区中，所述第一感应磁场的磁场强度大于所述第一磁性区的磁化阈值；或

通过所述写入单元生成的第二感应磁场改变所述至少两个磁性区中的第一磁性区以及第二磁性区中的磁场方向来将信息写入到所述第一磁性区以及所述第二磁性区域中，所述第二感应磁场的磁场强度大于所述第一磁性区以及所述第二磁性区的磁化阈值；或

通过所述写入单元先后生成第二感应磁场以及第一感应磁场，通过所述第二感应磁场改变所述第一磁性区以及所述第二磁性区中的磁场方向来将待写入到第二磁性区的信息写入到所述第二磁性区中，并通过所述第一感应磁场再次改变所述第一磁性区中的磁场方向来将待写入到第一磁性区的信息写入到所述第一磁性区中。

9.如权利要求7所述的方法，其特征在于，通过所述读取单元读取所述至少两个磁性区中写入的信息，包括：

通过所述读取单元中的第一读取元件读取所述至少两个磁性区中的第一磁性区中写入的信息；

通过所述读取单元中的第二读取元件读取所述至少两个磁性区中第二磁性区中写入的信息。