[发明专利]研磨垫有效

专利信息
申请号: 201310425342.3 申请日: 2013-09-17
公开(公告)号: CN103846786B 公开(公告)日: 2017-04-05
发明(设计)人: 矢岛利康;二宫大辅 申请(专利权)人: 丸石产业株式会社
主分类号: B24B37/24 分类号: B24B37/24
代理公司: 隆天知识产权代理有限公司72003 代理人: 于宝庆,刘春生
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 研磨
【说明书】:

技术领域

本发明涉及一种研磨垫,其使用在半导体部件、电子部件等所用的半导体芯片等被研磨构件的研磨步骤中。更详细而言,还涉及一种研磨垫,其在被研磨构件的研磨加工中,可提升作业效率,同时可提高研磨面的平坦性。

背景技术

半导体芯片、显示器用玻璃衬底、硬盘用衬底等半导体部件、电子部件的制造工艺中,包含用于其表面的平坦化、镜面化的研磨步骤。研磨步骤中,一般使被研磨构件固持在研磨器件的一个平台,并将研磨垫固定在另一个平台,一边供给研磨浆,一边使被研磨构件与研磨垫以加压的状态相对地滑动而进行。

在此,就研磨垫对平台的固定方法而言,以往是通过黏着带等黏着剂而黏着固定。然而,该固定方法在研磨垫的固定作业或交换作业上颇为耗时,成为大幅降低研磨步骤的作业效率的主要原因。也就是说,将研磨垫黏着固定于平台时,为了确保研磨垫的平坦度,必须一边注意使平台与研磨垫之间不产生空气层,一边慢慢地贴附。然后,平台与黏着带之间形成空气层时,必须将黏着带暂时剥离并将空气层消除后再度贴附,造成时间的损失。

另外,研磨垫的交换作业中,需要将旧的研磨垫从平台剥离,但这时会有黏着剂残留在平台的情形。此时,在固定新研磨垫之前,需要将残留在平台的黏着剂使用溶剂等除去并清扫的步骤,从而使交换作业耗时。

相对于此种以往的依靠黏着剂的研磨垫,本发明人等开发了一种可容易进行研磨垫的固定/交换作业的研磨垫(专利文献1)。该研磨垫如图2所示,是在研磨层的背面(平台侧的一面)设置有特定构成的吸附材。该吸附材如其字面含义,通过其吸附作用而将研磨垫固定在平台上,与以往所用的黏着剂的方式(依靠黏性而固定)不同,从平台剥离时,不会残留有残留物。而且,可容易地进行剥离后的再贴附,因此可顺利地进行研磨垫的剥离/固定,并可有效率地进行交换作业。

[先前技术文献]

[专利文献]

[专利文献1]日本新型专利注册第3166396号说明书

由于半导体部件的高密度化、高纤细化,故对于研磨制品的高平坦度的要求逐渐严格。通常,对于研磨精度的要求,认为是因为被研磨材料的研磨面的环境而改善,尤其是因为研磨剂(研磨浆)的特性而改善的居多。

然而,也应考虑研磨垫的状态对研磨精度的影响,尤其是考虑到近年来,芯片、显示板的大直径化、大面积化的发展,而仅依靠研磨剂的改良而难以充分适应。在此,本发明公开一种具备所述吸附层的研磨垫,其可帮助研磨面的高精度化,并可适应研磨面的大面积化。

发明内容

(发明欲解决的课题)

本发明人等为了所述目的,依据本发明人等所发明的具备吸附材的研磨垫的构成,调整各构成的特性并考察其对研磨性能的作用。尤其着眼于构成吸附材的吸附层及基材的各个特性对研磨性能的影响并进行考察而得出本发明。

也就是说,本发明涉及一种研磨垫,其通过将含有基材和吸附层的吸附材、与研磨层接合而成,所述吸附层包括通过选自下列的至少一种聚有机硅氧烷交联而成的组成物:包含仅在两末端具有乙烯基的直链状聚有机硅氧烷的聚有机硅氧烷、包含在两末端及侧链具有乙烯基的直链状聚有机硅氧烷的聚有机硅氧烷、包含仅在末端具有乙烯基的分枝状聚有机硅氧烷的聚有机硅氧烷、以及包含在末端及侧链具有乙烯基的分枝状聚有机硅氧烷的聚有机硅氧烷,所述吸附层的表面粗糙度的平均值Sa为0.02μm至0.06μm。

以下,详细说明本发明。如同所述,本发明是关于通过限定与平台接触的吸附层面的表面粗糙度,而可进行适宜的研磨作业的研磨垫。依据本发明人等的具备吸附材的研磨垫,在固定于平台时,具有吸附层作用所致的剪切力(横向的固定强度)高,而剥离力(纵向的固定强度)低的特性。通过此种对于平台的剪切力与剥离力的关系,能发挥使研磨垫的交换作业容易,同时抑制研磨作业中的研磨垫偏移的效果。此外,虽然说对平台的剥离力低,其仅是指相对而言之意,并非是达到会使研磨作业中研磨垫脱落、或吸附层与平台之间产生空间的程度的微弱的力。

但是,依据本发明人等的考察,吸附层与平台的接口处在如所述的状态时,吸附层的表面粗糙度可能对研磨作业时研磨力的面内均匀性造成微小的影响。对该面内均匀性的影响虽不大,但对研磨面要求超高纤细的平坦度时、或被研磨面的面积增大时会造成无法忽视的影响。

本发明的具备吸附材的研磨垫因所述理由而限定吸附层的表面粗糙度。关于该表面粗糙度,需要为0.06μm以下。若超过0.06μm,则可能对研磨力的面内均匀性产生影响。另一方面,关于其下限值,本应不受制限,但可制造的最小值为0.02μm。而且,在此的表面粗糙度是算术平均粗糙度(Ra)。

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