[发明专利]一种SiC／Ta/C／Ta／SiC多层抗氧化耐高温涂层及其制备方法有效
| 申请号： | 201310412250.1 | 申请日： | 2013-09-11 |
| 公开（公告）号： | CN103722849A | 公开（公告）日： | 2014-04-16 |
| 发明（设计）人： | 陈照峰;汪洋 | 申请（专利权）人： | 太仓派欧技术咨询服务有限公司 |
| 主分类号： | B32B33/00 | 分类号： | B32B33/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 215400 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 sic ta 多层 氧化 耐高温 涂层 及其 制备 方法 | ||
1.一种SiC／Ta／C／Ta／SiC多层抗氧化耐高温涂层，由SiC层、Ta层和C层叠层组成，其特征在于叠层的次序依次为SiC层、Ta层、C层、Ta层、SiC层，循环1～3次，C层两侧均为Ta层，最内层和最外层均为SiC层。
2.根据权利要求1所述的耐高温涂层，其特征在于所述的SiC层的厚度为10～30μm。
3.根据权利要求1所述的耐高温涂层，其特征在于所述的Ta层的厚度为5～20μm。
4.根据权利要求1所述的耐高温涂层，其特征在于所述的C层的厚度为15～30μm。
5.一种SiC／Ta／C／Ta/SiC多层抗氧化耐高温涂层的制备方法，其特征在于包括下述顺序的步骤：
(1)采用化学气相沉积的方法在基体的表面沉积一层SiC，SiC层的沉积条件如下：三氯甲基硅烷为前驱体，氩气为稀释气，氢气为载气，沉积温度800～1200℃，沉积时间5～20h；
(2)通过化学气相沉积法沉积Ta层，Ta层的沉积条件如下：以金属钽为源物质，氩气为稀释气，氯气为反应气体，沉积温度为1000～1600℃，沉积时间3～10h；
(3)通过化学气相沉积法沉积C层，C层的沉积条件如下：以甲烷为源物质，氩气为稀释气体，沉积温度为800～1200℃，沉积时间3～10h；
(4)重复(2)(3)循环1～3次；
(5)通过化学气相沉积在涂层的最外表面沉积一层SiC保护层。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于太仓派欧技术咨询服务有限公司，未经太仓派欧技术咨询服务有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201310412250.1/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种用于输送真空状态高粘度物料的装置
- 下一篇：一种高载重钢化玻璃运输装置
