[发明专利]一种带隙基准电压电路

权利要求书

1.一种带隙基准电压电路，包括微电流源单元（A1）、第三三极管（Q2）和差分放大器单元（A2）；

所述微电流源单元（A1）由第一、第二三极管（Q0和Q1）和第一至第四电阻（R0至R3）组成，所述第四电阻（R3）的一端一路通过第二电阻（R1）连接到第二三极管（Q1）的集电极，另一路通过第三电阻（R2）连接到第一三极管（Q0）的集电极，第二三极管（Q1）的集电极、基极与第一三极管（Q0）的基极相连接，第二三极管（Q1）的发射极接参考地端（GND），第一三极管（Q0）的发射极通过第一电阻（R0）接参考地端（GND），所述第四电阻（R3）的另一端为微电流源单元（A1）的输入端；

所述差分放大器单元（A2）由电流镜、第四至第八三极管（Q3至Q7）、第五至第六电阻（R4和R5）以及相位补偿电容（Cc）组成，电流镜的输入端连接第四三极管（Q3）的集电极，第四三极管（Q3）的基极连接到所述微电流源单元（A1）的输入端，第四三极管（Q3）的发射极通过第五电阻（R4）连接第五三极管（Q4）的集电极，第五三极管（Q4）的基极连接到所述第一三极管（Q0）的集电极，电流镜的输出端、第六三极管（Q5）的集电极与第七三极管（Q6）的基极相连接，第六三极管（Q5）的基极连接到所述第一三极管（Q0）的基极，第七、第八三极管（Q6和Q7）的集电极相连接，第七三极管（Q6）的发射极、第八三极管（Q7）的基极与第六电阻（R5）的一端相连接，第五、第六、第八三极管（Q4、Q5和Q7）的发射极与第六电阻（R5）的另一端均接参考地端（GND），相位补偿电容（Cc）连接在第七三极管（Q6）的基极与集电极之间，所述电流镜的供电端、第七和第八三极管（Q6和Q7）的集电极连接点分别为差分放大单元器（A2）的供电端和输出端；

其特征在于：所述的带隙基准电压电路还包括电流源（Iref），并且，设有基准电压输出端（Vref）和用于外接电压源的电源端（VCC）；

所述微电流源单元（A1）中，流过所述第二三极管（Q1）的电流密度是所述第一三极管（Q0）的n倍，n为大于零的任意常数；

所述差分放大器单元（A2）的供电端连接电源端（VCC），所述第三三极管（Q2）的集电极通过电流源（Iref）连接电源端（VCC），第三三极管（Q2）的发射极连接所述微电流源单元（A1）的输入端，第三三极管（Q2）的集电极与所述差分放大器单元（A2）的输出端相连接，并且该连接点与第三三极管（Q2）的基极均连接到所述基准电压输出端（Vref）。

2.根据权利要求1所述的带隙基准电压电路，其特征在于：所述第三电阻（R2）的阻值是第二电阻（R1）的n倍，所述第一三极管（Q0）与第二三极管（Q1）对称匹配。

3.根据权利要求1所述的带隙基准电压电路，其特征在于：所述第二电阻（R1）与第三电阻（R2）的阻值相等，所述第一、第二三极管（Q0和Q1）均是由一个或者多个单元三极管并联组成，其中，所述各个单元三极管具有相同的类型和尺寸，组成第一三极管（Q0）的单元三极管个数为组成第二三极管（Q1）的单元三极管个数的n倍。

4.根据权利要求1至3任意一项所述的带隙基准电压电路，其特征在于：所述的带隙基准电压电路还包括第一分压电阻（R7）和第二分压电阻（R8），并且还设有基准电压高压输出端（Vref_H）；第一分压电阻（R7）连接在所述基准电压输出端（Vref）与参考地端（GND）之间，所述第三三极管（Q2）集电极与差分放大器单元（A2）输出端的连接点通过第二分压电阻（R8）连接到所述基准电压输出端（Vref），并且，第三三极管（Q2）集电极与差分放大器单元（A2）输出端的连接点作为所述带隙基准电压电路的基准电压高压输出端（Vref_H）。

5.根据权利要求4所述的带隙基准电压电路，其特征在于：所述差分放大单元器（A2）中，所述电流镜包括第一、第二P型沟道MOS管（MP1和MP2），第一、第二P型沟道MOS管（MP1和MP2）的源极相连接并作为电流镜的供电端，第一P型沟道MOS管（MP1）的栅极、漏极与第二P型沟道MOS管（MP2）的栅极相连接，第一、第二P型沟道MOS管（MP2）的漏极分别为电流镜的输入端和输出端。