[发明专利]一种无间隙雷电冲击电流发生器

权利要求书

1.一种无间隙雷电冲击电流发生器，其特征在于：包括主边和充电电源相连的供电变压器T，供电变压器T的副边一端接地，另一端连接绝缘栅双极型晶体管VT0的集电极，绝缘栅双极型晶体管VT0的发射极连接依次串接整流器DZ和充电电阻R，再连接至绝缘栅双极型晶体管VT的集电极，绝缘栅双极型晶体管VT的集电极连接至充电电容C的正极，充电电容C的负极接地，所述绝缘栅双极型晶体管VT的发射极连接至高压试品ZX的一端，高压试品ZX的另一端接地，其中所述绝缘栅双极型晶体管VT0的栅极G0和绝缘栅双极型晶体管VT的栅极G均连接至驱动电路。

2.根据权利要求1所述的一种无间隙雷电冲击电流发生器，其特征在于：所述充电电阻R、绝缘栅双极型晶体管VT和充电电容C相互连接构成充放电发生组，本无间隙雷电冲击电流发生器包括至少两组充放电发生组，每组充放电发生组中的充电电阻R（1……n）均连接至整流器D，绝缘栅双极型晶体管VT（1……n）的发射极均连接至高压试品ZX的一端，绝缘栅双极型晶体管VT（1……n）的栅极G（1……n）均连接至驱动电路，充电电容C（1……n）的负极均接地。

3.根据权利要求1或2所述的一种无间隙雷电冲击电流发生器，其特征在于：所述驱动电路主要由单片机连接光电耦合回路构成，所述绝缘栅双极型晶体管VT的栅极和发射极之间设有栅极均压回路，所述绝缘栅双极型晶体管VT的集电极和发射极之间设有静态均压回路和动态均压回路。

4.根据权利要求3所述的一种无间隙雷电冲击电流发生器，其特征在于：所述栅极均压回路主要由相互串接齐纳二极管DQ和方向二级管DF构成，其中齐纳二极管DQ的负极连接至绝缘栅双极型晶体管VT的发射极，方向二级管DF的负极连接至绝缘栅双极型晶体管VT的栅极。

5.根据权利要求3所述的一种无间隙雷电冲击电流发生器，其特征在于：所述静态均压回路主要由连接在绝缘栅双极型晶体管VT的集电极和发射极之间的电阻RT构成；所述动态均压回路主要由电阻RS和二极管DS并联和串接电容CS构成，其中二极管DS的正极连接至绝缘栅双极型晶体管VT的集电极，所述电容CS的一端连接至绝缘栅双极型晶体管VT的发射极。

6.一种无间隙雷电冲击电流发生器，其特征在于：包括主边和充电电源相连的供电变压器T，供电变压器T的副边一端接地和可控硅D0的输入端、可控硅D0的输出端依次串接整流器DZ和充电电阻R，再连接至可控硅D的正极，可控硅D的正极还连接至充电电容C的正极，充电电容C的负极接地，所述可控硅D的负极连接至高压试品ZX的一端，高压试品ZX的另一端接地，其中所述可控硅D0的栅极G0和可控硅D的栅极G均连接至驱动电路。

7.根据权利要求6所述的一种无间隙雷电冲击电流发生器，其特征在于：所述充电电阻R、可控硅D和充电电容C相互连接构成充放电发生组，本无间隙雷电冲击电流发生器包括至少两组充放电发生组，每组充放电发生组中的充电电阻R（1……n）均连接至整流器D，可控硅D（1……n）的负极均连接至高压试品ZX的一端，可控硅D（1……n）的栅极G（1……n）均连接至驱动电路，充电电容C（1……n）的负极均接地。

8.根据权利要求6或7所述的一种无间隙雷电冲击电流发生器，其特征在于：所述驱动电路主要由单片机连接光电耦合回路构成，所述可控硅D的栅极和负极之间设有栅极均压回路，所述可控硅D的正极和负极之间设有静态均压回路和动态均压回路。

9.根据权利要求8所述的一种无间隙雷电冲击电流发生器，其特征在于：所述栅极均压回路主要由相互串接齐纳二极管DQ和方向二级管DF构成，其中齐纳二极管DQ的负极连接至可控硅D的负极，方向二级管DF的负极连接至可控硅D的栅极。

10.根据权利要求8所述的一种无间隙雷电冲击电流发生器，其特征在于：所述静态均压回路主要由连接在可控硅D的正极和负极之间的电阻RT构成；所述动态均压回路主要由电阻RS和二极管DS并联和串接电容CS构成，其中二极管DS的正极连接至可控硅D的负极，所述电容CS的一端连接至可控硅D的正极。