[发明专利]镀镍溶液和使用其形成镍镀层的方法

说明书

相关申请的引用

本申请要求于2012年9月11日提交的名为“Nickel Plating Solution and Method for Forming Nickel Plating Layer Using The Same”的韩国专利申请第10-2012-0100435号的权益，将其全部内容通过引用结合到本申请中。

技术领域

本发明涉及镀镍溶液和使用其用于形成镍镀层的方法。

背景技术

一般来说，作为电子部件中的芯片部件的外部电极，通过电镀在底层金属材料上形成镍或锡镀层。在装配印刷电路板时将锡镀层用作焊层，而镍镀层则用作外部电极和焊物之间的阻挡层。

对于镍镀层，使用了镍电镀溶液并且主要使用氨基磺酸盐镀液（sulfamate bath）或瓦特浴（watt bath）。然而，在其中使用常规镀镍溶液的情况下，取决于电子部件的材料，可能会损坏电子部件的本体（body）。

由下列化学物质组成用于芯片部件的一般的镀镍溶液。在氨基磺酸盐镀液的情况下，将氨基磺酸镍用作镍金属源，而在瓦特浴的情况下，将硫酸镍用作镍金属源。

通常，为了帮助阳极溶解，将氯化镍用作氯离子源，并主要地将硼酸用作缓冲剂和pH调节剂。另外，在4.5或更低的pH范围内配制和使用镀液。

然而，在其中由含有铁素体（ferrite）或氧化锰的材料形成本体的情况下，由常规镍电镀溶液形成镀层可能会引起本体的损坏。例如，由于本体被磨损，电特性可能会被劣化；镀液可能渗入外部电极的相邻部分；或者因为磨损外部电极可能被举起或脱落。另外，外部电极和本体之间粘合强度的降低可能导致产品存在缺陷。

在现有技术中，在其中本体被镀液损坏的情况下，涂覆芯片的表面以使其与镀液的接触最小化，然后在其上进行镀覆。然而，在其中进行涂覆的情况下，由于在镀覆之前使用了另外的步骤需要成本和时间，并且在其中涂层膜的质量低劣的情况下，产品损坏的风险很高。

发明内容

本发明的目的是当由含有铁素体或氧化锰的材料形成芯片部件的本体时，提供能够使损坏程度最小化而没有另外的步骤的镀镍溶液。

本发明的另一个目的是提供通过使用镍电镀溶液用于在芯片部件的外部电极上形成镍镀层的方法。

根据本发明的一个示例性实施方式，提供了镀镍溶液，包含：镍离子；氯离子；和pH缓冲剂，其中通过使无机酸、和有机酸及其盐混合来使用pH缓冲剂。

可以以30～100g/L的浓度包含pH缓冲剂，并且在该pH缓冲剂中可以以20～50g/L的浓度包含有机酸及其盐。

有机酸及其盐可以是选自由琥珀酸、葡萄糖酸、乳酸、和它们的盐所组成的组中的至少一种。

可以以50～100g/L的浓度包含镍离子，并且以10～50g/L的浓度包含氯离子。

镀镍溶液可以具有4.5～6.0的pH值。

根据本发明的另一个示例性实施方式，提供了用于形成镍镀层的方法，其中在芯片部件的外部电极上形成镍镀层，其中，通过使用包含镍离子、氯离子和其中混合有无机酸、有机酸和其盐的pH缓冲剂的镍电镀溶液形成镍镀层。

其中，可以由包含铁素体；或Mn、Ni、Al或Co的半导体陶瓷材料形成芯片部件的本体。

芯片部件可以是电感器或热敏电阻。

可以在施加DC电流条件下进行形成镍镀层。

在本文中，在镍镀层的形成中，镀液的镀覆温度是45～55℃。

附图说明

图1是对照组（镀覆前的芯片部件）的侧表面的图像。

图2是通过使用比较例1的镀液在外部电极上形成镍镀层之后芯片部件的侧表面的图像。

图3是通过使用实施例1的镀液在外部电极上形成镍镀层之后芯片部件的侧表面的图像。

图4是通过使用根据比较例1制备的镀镍溶液在芯片部件的外部电极上形成镀镍层时，确认本体腐蚀或未腐蚀的扫描电子显微镜（SEM）图像。

图5是通过使用根据实施例1制备的镀镍溶液在芯片部件的外部电极上形成镀镍层时，确认腐蚀或不腐蚀本体的扫描电子显微镜（SEM）图像，该芯片部件包括其中含有氧化锰的材料的本体。

具体实施方式

在下文中，将详细描述本发明。

在本说明书中使用的术语是用于解释实施方式而不是限制本发明。除非明确地描述为相反，在本说明书中单数形式包括复数形式。同样，本文中所使用的，术语“包含”和/或“包括”将被理解为意指包含说明的组分、步骤、操作和/或原理，但不排除其它组分、步骤、操作和/或原理。