[发明专利]抗辐射加固存储单元电路

权利要求书

1.一种抗辐射加固存储单元电路，其特征在于，包括：基本存储单元、冗余存储单元和双向反馈单元；其中，

基本存储单元包括第一、第二PMOS管（501、502）和第三、第四PMOS管（503、504）；第一、第二PMOS管（501、502）为读出访问管，第一PMOS管（501）的源极连接读操作选择字线（516），栅极连接存储节点（Q1），漏极连接第一读出位线（517），第二PMOS管（502）的源极连接读操作选择字线（516），栅极连接反相存储节点（Q1N），漏极连接第二读出位线（518）；第三、第四PMOS管（503、504）为写入访问管，第三PMOS管（503）的源极连接存储节点（Q1），栅极连接写入选择字线（513），漏极连接第一写位线（514），第四PMOS管（504）的源极连接反相存储节点（Q1N），栅极连接写入选择字线（513），漏极连接第二写位线（515）；

冗余存储单元包括第五、第六PMOS管（505、506）和第七、第八PMOS管（507、508）；第五、第六PMOS管（505、506）为读出访问管，第五PMOS管（505）的源极连接读操作选择字线（516），栅极连接冗余存储节点（Q2），漏极连接第一读出位线（517），第六PMOS管（506）的源极连接读操作选择字线（516），栅极连接反相冗余存储节点（Q2N），漏极连接第二读出位线（518）；第七、第八PMOS管（507、508）为写入访问管，第七PMOS管（507）的源极连接冗余存储节点（Q2），栅极连接写入选择字线（513），漏极连接第一写位线（514），第八PMOS管（508）的源极连接反相冗余存储节点（Q2N），栅极连接写入选择字线（513），漏极连接第二写位线（515）；

双向反馈单元，用于构成存储节点（Q1）与冗余存储节点（Q2）间的反馈通路，还用于构成反相存储节点（Q1N）与反相冗余存储节点（Q2N）间的反馈通路。

2.如权利要求1所述的一种抗辐射加固存储单元电路，其特征在于，所述双向反馈单元包括第九、第十PMOS管（509、510）和第十一、第十二PMOS管（511、512）；第九PMOS管（509）的源极连接存储节点（Q1），栅极连接冗余存储节点（Q2），漏极连接低电平GND，第十PMOS管（510）的源极连接冗余存储节点（Q2），栅极连接存储节点（Q1），漏极连接低电平GND；第十一PMOS管（511）的源极连接反相存储节点（Q1N），栅极连接反相冗余存储节点（Q2N），漏极连接低电平GND，第十二PMOS管（512）的源极连接反相冗余存储节点（Q2N），栅极连接反相存储节点（Q1N），漏极连接低电平GND。