[发明专利]一种稳压电路无效
申请号: | 201310381523.0 | 申请日: | 2013-08-29 |
公开(公告)号: | CN103488237A | 公开(公告)日: | 2014-01-01 |
发明(设计)人: | 刘雄 | 申请(专利权)人: | 苏州苏尔达信息科技有限公司 |
主分类号: | G05F1/67 | 分类号: | G05F1/67 |
代理公司: | 常州市维益专利事务所 32211 | 代理人: | 王凌霄 |
地址: | 215200 江苏省苏州市吴*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 稳压 电路 | ||
1.一种稳压电路,包括慢速回路(1)和快速回路(2),其特征在于:所述慢速回路(1)由PMOS管(M1)、PMOS管(M2)、PMOS管(M3)、PMOS管(MP1)、PMOS管(MP2)、PMOS管(MP0)和负载(3)构成,所述快速回路(2)由补偿电容(MC)、PMOS管(M4)、PMOS管(MP0)和负载(3)构成;所述慢速回路中PMOS管(M1)的源极连接PMOS管(M3)的漏极,栅极连接输出端(OUT),漏极与PMOS管(M2)的漏极连接;所述PMOS管(M2)的源极连接快速回路(2)中PMOS管(M4)的漏极,栅极连接参考电压(REF);所述PMOS管(M3)的源极连接PMOS管(MP1)的漏极,栅极与PMOS管(M4)的栅极连接;所述PMOS管(MP1)的源极连接电源电源(VDD),栅极与PMOS管(M3)的源极连接;所述PMOS管(MP2)的源极连接电源电源(VDD),栅极与PMOS管(MP1)的栅极连接,漏极连接PMOS管(M4)的源极;所述PMOS管(MP0)的源极连接电源电压(VDD),栅极与PMOS管(MP2)的漏极连接,漏极连接负载(3),所述补偿电容(MC)并联在所述负载(3)与PMOS管(MP0)的漏极之间。
2.根据权利要求1所述的稳压电路,其特征在于:所述PMOS管(M3)的漏极和负载(3)之间并联有一PMOS管(M5),其中PMOS管(M5)的源极连接PMOS管(M3)的漏极,PMOS管(5)的漏极连接负载(3)。
3.根据权利要求1或2所述的稳压电路,其特征在于:所述补偿电容(MC)和负载(3)上并联有一PMOS管(M6),其中PMOS管(M6)的源极连接补偿电容(MC),漏极连接负载(3),栅极与所述PMOS管(M5)的栅极连接。
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