[发明专利]一种高灵敏的光纤光栅电压传感器有效

专利信息
申请号: 201310372948.5 申请日: 2013-08-26
公开(公告)号: CN103439561A 公开(公告)日: 2013-12-11
发明(设计)人: 文继华;朱月红;亢俊健 申请(专利权)人: 石家庄经济学院
主分类号: G01R19/00 分类号: G01R19/00
代理公司: 石家庄新世纪专利商标事务所有限公司 13100 代理人: 齐兰君;张素静
地址: 050031 河*** 国省代码: 河北;13
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摘要:
搜索关键词: 一种 灵敏 光纤 光栅 电压 传感器
【说明书】:

技术领域

本发明涉及一种光纤光栅电压传感器。

背景技术

目前的电压传感器,都需要加入电路,这些电子器件在强电磁干扰及高压的情况下,非常容易损坏或者影响测试数据。所以在电力部门急需一种安全可靠的测量电压的传感器,代替传统电压传感器。

压电陶瓷是人工合成的多晶体压电材料,它由无数细微的电畴组成。这些电畴实际上是自发极化的小区域,自发极化的方向完全是任意排列的,在无外电场作用时,各电畴的极化作用相互抵消,因此不具有压电效应;只有经过极化处理后才具有压电效应。即在一定的温度和强电场(例如20~30KV/cm直流电场)作用下,内部电畴自发极化方向都趋向于电场的方向,极化处理后压电陶瓷具有一定极化强度。在外电场去除后,各电畴的自发极化在一定程度上按原外电场方向取向,其内部仍存在有很强的剩余极化强度,使得压电陶瓷极化的两端就出现束缚电荷(一端为正电荷,另一端为负电荷),由于束缚电荷的作用,在压电陶瓷的电极表面就会吸附自由电荷。这些自由电荷与压电陶瓷内的束缚电荷符号相反而数值相等。   

当压电陶瓷受到与极化方向平行的外力作用而产生压缩变形,电畴发生偏转,内部正负束缚电荷之间的距离变小,剩余极化强度也将变小,因此,原来吸附的自由电荷,有一部分被释放而出现放电现象。当外力撤消后,压电陶瓷恢复原状,内部的正负束缚电荷之间的距离变大,极化强度也变大,电极上又吸附一部分自由电荷而出现充电现象。充、放电电荷的多少与外力的大小成比例关系,这种由机械能转变为电能的现象,称为压电陶瓷的正压电效应。同样,压电陶瓷也存在逆压电效应,即将电能转化为机械能的效应。   

压电陶瓷的特点是压电常数大,灵敏度高;制造工艺成熟,可通过合理配方和掺杂等人工控制来达到所要求的性能。压电陶瓷的成形工艺性也好,成本低廉,利于广泛应用。压电陶瓷按照受力和变形的形式不同可以制成各种形状的压电元件,常见的有片状和管状,管状压电元件的极化方向可以是轴向的,也可以是圆环的径向。

光纤光栅传感器是一种全光传输的传感器,通过外界温度、应变、拉力等条件的变化,引起栅格变化,进而使中心波长改变,通过测量中心波长的变化量,得到外界变化值。它有如下优点:

1)光纤光栅使用的是光信号,本质安全,使用时会比电信号的传感器有更高的安全性;

2)光纤光栅传感器可避免因电源干扰产生的错误信息;

3)在一根光缆上可以串接数十个光纤光栅传感器,在需要的部位可以密集的安装,因此在任何部位发生异常现象,都能及时传输到中控室;

4)光纤光栅传感器属于波长调制型非线性作用的光纤传感器。通过待测量调制入射光束的波长,测量反射光的波长变化进行检测。由于波长是一个绝对参数,不受总体光强水平、连接光纤及耦合器处的损耗或者光源能量的影响,因此比其他的方式更加稳定、准确。

利用压电陶瓷的逆压电效应,结合光纤光栅的安全的特点设计的光纤光栅电压传感器,是电压传感器制造中出现的新技术,其优点是可以很好的实现变电站的在线安全监测,对可能出现的故障进行提前报警。

公开号为CN102721853A的发明专利申请“基于罗氏线圈的光纤Bragg光栅电压传感器”是目前有过报道的光纤光栅电压传感器,它采用了压电陶瓷和光栅用胶粘起来,作为测试主要元件,在压电陶瓷上下两端接正负极,罗氏线圈套在导线上,利用压电陶瓷本身的微小变形带动光栅变形,进行测量。压电陶瓷在电场作用下产生的形变量很小,该发明专利,单纯利用压电陶瓷本身的变形,进行测量,会使测试结果有很大的偏差,并且极大的限制了测试范围。

发明内容

本发明要解决的技术问题是提供一种精确,灵敏且稳定的电压传感器,并能与现在的智能电网结合,实现远程在线安全监测电压。

为解决上述技术问题,本发明所采取的技术方案是:

一种光纤光栅电压传感器,包括压电陶瓷、光纤光栅A、叉形装置和光纤光栅B,其中,压电陶瓷与叉形装置底端固定连接,光纤光栅A焊接在叉形装置顶端上,叉形装置由两条呈X形交叉放置的金属杆铰接而成,铰接位置在金属杆中点到金属杆底端的任意位置,光纤光栅A和光纤光栅B在同一光纤上,但光纤光栅B不与叉形装置接触。另外,为避免两种光纤光栅在测定时信号重叠影响测定,要求光纤光栅A和光纤光栅B的中心波长差的绝对值在5nm以上。

本发明所述的压电陶瓷,具体可选择锆钛酸铅系压电陶瓷(PZT)、钛酸钡压电陶瓷(BaTiO3)、铌酸铅压电陶瓷(PbNb2O3)或铌镁酸铅压电陶瓷(PMN),本发明优选铌酸铅压电陶瓷(PbNb2O3)。

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