[发明专利]静电防护型接口电路有效

专利信息
申请号: 201310365508.7 申请日: 2013-08-21
公开(公告)号: CN103414174A 公开(公告)日: 2013-11-27
发明(设计)人: 胡钢;邱昆 申请(专利权)人: 成都成电光信科技有限责任公司
主分类号: H02H9/00 分类号: H02H9/00
代理公司: 成都行之专利代理事务所(普通合伙) 51220 代理人: 谢敏
地址: 610000 四*** 国省代码: 四川;51
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摘要:
搜索关键词: 静电 防护 接口 电路
【权利要求书】:

1.静电防护型接口电路,其特征在于:包括MAX3223ECAP芯片、静电防护电路和电源,所述的静电防护电路上的电容C6、电容C7、三极管T1的集电极、三极管T2的集电极和可控硅器件SCR均连接电阻R2,电阻R2连接在MAX3223ECAP芯片的输入端T2IN上;静电防护电路上的三极管T2的发射极、三极管T3的发射极、三极管T3的基极、可控硅器件SCR、MAX3223ECAP芯片的使能端                                               和接地端GND均接地;静电防护电路上的三极管T1的发射极、三极管T3的集电极和MAX3223ECAP芯片的端和电源VCC端均接电源;所述的MAX3223ECAP芯片上的强制打开端FORCEON和电源负极端均接地。

2.根据权利要求1所述的静电防护型接口电路,其特征在于:所述的静电防护电路包括电容C6、电容C7、三极管T1、三极管T2、三极管T3、电感L和可控硅器件SCR,其中的三极管T1的发射极同时连接三极管T3的集电极和电容C6;电感L、三极管T1的集电极、三极管T2的集电极、电容C6、电容C7和可控硅器件SCR均连接在一起;三极管T2的发射极、三极管T3的发射极、三极管T3的基极和电容C7均连接在一起;三极管T1的基极还与电容C6连接,三极管T2的基极还与电容C7连接。

3.根据权利要求1所述的静电防护型接口电路,其特征在于:所述的MAX3223ECAP芯片的第一电容输入端C1+和第一电容输出端C1-之间串联电容C1。

4.根据权利要求1所述的静电防护型接口电路,其特征在于:所述的MAX3223ECAP芯片的第二电容输入端C2+和第二电容输出端C2-之间串联电容C2。

5.根据权利要求1所述的静电防护型接口电路,其特征在于:所述的MAX3223ECAP芯片的电源端口VCC上串联电容C4,MAX3223ECAP芯片的正电源端口V+上串联电容C3,电容C4和电容C3均接地。

6.根据权利要求1所述的静电防护型接口电路,其特征在于:所述的MAX3223ECAP芯片上的输入端口T1IN、输入端口R1IN和输入端口R2IN依次连接电阻R1、电阻R3和电阻R4。

7.根据权利要求1-6任意一项所述的静电防护型接口电路,其特征在于:所述的MAX3223ECAP芯片的强制打开端FORCEON和电源负极V-均连接电容C5。

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