[发明专利]一种NVRAM数据恢复方法和装置

权利要求书

1.一种非易失性随机访问存储器（NVRAM）数据恢复方法，其特征在于，包括以下步骤：

S1、若接收到恢复指令，则读取终端出厂时的NVRAM默认值；

S2、设置NVRAM的读写属性为可读可写；

S3、擦除NVRAM中存储的当前BIOS配置参数；

S4、若擦除成功，则将读取的NVRAM默认值写入NVRAM中存储当前BIOS配置参数的区域；

S5、设置NVRAM的读写属性为只读。

2.根据权利要求1所述的NVRAM数据恢复方法，其特征在于，还包括以下步骤：

S6、在步骤S1和S2之间，将读取的NVRAM默认值保存到第一内存区间。

3.根据权利要求2所述的NVRAM数据恢复方法，其特征在于，还包括以下步骤：

S7、在步骤S4和S5之间，判断写入NVRAM中存储当前BIOS配置参数的区域的NVRAM默认值和存储在所述第一内存区间内的NVRAM默认值是否相同，若是则执行步骤S5，若否则执行S3。

4.根据权利要求1所述的NVRAM数据恢复方法，其特征在于，步骤S1包括以下子步骤：

S11、若接收到恢复指令，则判断是否备份了上一次正常启动时NVRAM中存储的BIOS配置参数，若是则执行步骤S13，若否则执行步骤S12；

S12、读取终端出厂时的NVRAM默认值，执行步骤S3；

S13、设置NVRAM的读写属性为可读可写；

S14、擦除NVRAM中存储的当前BIOS配置参数；

S15、若擦除成功，则将备份的BIOS配置参数写入NVRAM中存储当前BIOS配置参数的区域，执行步骤S5。

5.根据权利要求4所述的NVRAM数据恢复方法，其特征在于，步骤S1还包括以下子步骤：

S16、若备份了上一次正常启动时NVRAM中存储的BIOS配置参数，则在步骤S11和S13之间，将备份的BIOS配置参数保存到第二内存空间。

6.根据权利要求5所述的NVRAM数据恢复方法，其特征在于，子步骤S15包括以下次级子步骤：

S151、若擦除成功，则将备份的BIOS配置参数写入NVRAM中存储当前BIOS配置参数的区域；

S152、判断写入NVRAM中存储当前BIOS配置参数的区域的BIOS配置参数和存储在所述第二内存区间内的BIOS配置参数是否相同，若是则执行步骤S5，若否则执行S14。

7.一种非易失性随机访问存储器（NVRAM）数据恢复装置（300），其特征在于，包括：

数据获取单元（310），用于在接收到恢复指令时，读取终端出厂时的NVRAM默认值；

解锁单元（320），用于设置NVRAM的读写属性为可读可写；

擦除单元（330），用于擦除NVRAM中存储的当前BIOS配置参数；

写入单元（340），用于在所述擦除单元（330）擦除NVRAM中存储的当前BIOS配置参数成功时，将读取的NVRAM默认值写入NVRAM中存储当前BIOS配置参数的区域；

上锁单元（350），用于设置NVRAM的读写属性为只读。

8.根据权利要求7所述的NVRAM数据恢复装置（300），其特征在于，还包括：

存储执行单元（360），用于将读取的NVRAM默认值保存到第一内存区间；

校验单元（370），用于判断写入NVRAM中存储当前BIOS配置参数的区域的NVRAM默认值和存储在所述第一内存区间内的NVRAM默认值是否相同。