[发明专利]带有浮动电压参考的低压降稳压器在审
申请号: | 201310350039.1 | 申请日: | 2013-08-13 |
公开(公告)号: | CN103631301A | 公开(公告)日: | 2014-03-12 |
发明(设计)人: | J·M·皮古特 | 申请(专利权)人: | 飞思卡尔半导体公司 |
主分类号: | G05F1/56 | 分类号: | G05F1/56 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人: | 申发振 |
地址: | 美国得*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 带有 浮动 电压 参考 低压 稳压器 | ||
1.一种稳压器,包括:
被配置以接收输入电压的输入电压节点;
被配置以传送输出电压的稳压节点;
被配置以传送反馈信号的反馈节点;
导通器件,有第一电流传导端子、第二电流传导端子、以及控制端子,其中所述第一电流传导端子耦合于所述输入电压节点,以及所述第二电流传导端子耦合于所述稳压节点;
反馈电路,耦合于所述稳压节点和所述反馈节点之间,其中所述反馈电路是被配置以产生所述反馈信号的浮动电压参考;以及
运算放大器,有耦合于所述反馈节点的输入、以及耦合于所述导通器件的所述控制端子的输出,其中所述运算放大器被配置以基于源自所述反馈节点的反馈信号给所述控制端子提供信号,并且其中所述控制信号引起通过所述导通器件的电流发生变化以将稳压节点处的电压保持在目标稳压。
2.根据权利要求1所述的稳压器,其中所述导通器件包括P型金属氧化物半导体场效应晶体管。
3.根据权利要求1所述的稳压器,其中所述反馈电路包括一个或更多个齐纳二极管,当所述一个或更多个齐纳二极管包括多个齐纳二极管的时候所述齐纳二极管串联耦合,并且有耦合于所述稳压节点的阴极,以及耦合于所述反馈节点的阳极,并且其中所述目标稳压大约等于所述一个或更多个齐纳二极管的反向击穿电压。
4.根据权利要求3所述的稳压器,其中所述运算放大器有对应于所述运算放大器的所述输出的单一高阻抗节点。
5.根据权利要求3所述的稳压器,其中所述运算放大器内部地在对应于所述运算放大器的非反相输入的参考节点处生成参考电压,其中所述参考电压在地面处或是高于地面的小电压。
6.根据权利要求1所述的稳压器,其中所述反馈电路包括多个串联耦合的二极管,并且其中所述目标稳压大约等于所述多个二极管的反向击穿电压的总和。
7.根据权利要求1所述的稳压器,其中所述运算放大器包括:
第一晶体管,有耦合于所述输入电压节点的源极、耦合于所述运算放大器的所述输出的漏极、以及耦合于偏置电流源的栅极;
第二晶体管,有耦合于所述输入电压节点的源极、漏极、以及耦合于所述偏置电流源和所述第一晶体管的所述栅极的栅极;
第三晶体管,有耦合于所述第一晶体管的所述漏极的漏极、耦合于所述运算放大器的所述输入的源极、以及栅极;
第四晶体管,有耦合于所述第二晶体管的所述漏极的漏极、耦合于参考节点的源极、以及耦合于所述第三晶体管的所述栅极和所述第四晶体管的所述漏极的栅极;
第五晶体管,有耦合于所述参考节点的漏极、耦合于地面的源极、以及耦合于所述参考节点的栅极;以及
第六晶体管,有耦合于所述第三晶体管的所述漏极和所述运算放大器的所述输入的漏极、耦合于地面的源极、以及耦合于所述第五晶体管的所述栅极的栅极。
8.根据权利要求7所述的稳压器,其中所述第一和第二晶体管是P型金属氧化物半导体场效应晶体管,第三、第四、第五、和第六晶体管是N型金属氧化物半导体场效应晶体管。
9.根据权利要求1所述的稳压器,还包括:
偏置电流源,被配置以给所述运算放大器的偏置输入提供偏置信号,其中当所述输入电压超过第一阈值时,所述偏置信号引起所述运算放大器将所述导通器件置于导电状态。
10.根据权利要求9所述的稳压器,其中所述偏置电流源包括:
有耦合于所述输入电压节点的源极、耦合于所述偏置输入的漏极以及栅极的晶体管;以及
耦合于所述偏置输入和地面之间的电阻器。
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