[发明专利]一种中低频宽带陶瓷滤波器用压电陶瓷材料

权利要求书

1.一种中低频宽带陶瓷滤波器用压电陶瓷，所述压电陶瓷的介电常数为1447-1483，机械品质因素为1193-1230，径向机电耦合系数为0.58-0.62，谐振频率温度系数在-55～+85℃温度范围内为0.004％-0.008％，老化200小时后的谐振频率时间稳定性t_fr为0.0015％-0.0028％，介质损耗为0.005％-0.008％，其特征在于：所述压电陶瓷的组成为：(xBi(Fe_0.9Mn_0.1)O₃-mBiGaO₃-y(Pb_0.89Sr_0.1Mg_0.01)(Ti_0.51Zr_0.49)O₃)+0.03～0.8wt.％In₂O₃+0.01～0.6wt.％LiNbO₃；其中，0.01≤x≤0.1mol，0.01≤m≤0.1mol，0.8≤y≤0.98mol，x+m+y=1，其中Bi(Fe_0.9Mn_0.1)O₃、BiGaO₃、(Pb_0.89Sr_0.1Mg_0.01)(Ti_0.51Zr_0.49)O₃、LiNbO₃分别是采用常规的化学原料以固相法合成；In₂O₃和LiNbO₃的加入量分别是基体(xBi(Fe_0.9Mn_0.1)O₃-mBiGaO₃-y(Pb_0.89Sr_0.1Mg_0.01)(Ti_0.51Zr_0.49)O₃)质量的0.03～0.8％和0.01～0.6％。

2.如权利要求1所述的一种中低频宽带陶瓷滤波器用压电陶瓷，其特征在于：所述的Bi(Fe_0.9Mn_0.1)O₃的制备过程包括：将常规的化学原料Bi₂O₃和Fe₂O₃和MnO₂按1/2：0.9/2：0.1摩尔比配料，研磨混合均匀后放入氧化铝坩埚内于850℃保温120分钟，固相反应合成Bi(Fe_0.9Mn_0.1)O₃，冷却后研磨过200目筛，备用。

3.如权利要求1所述的一种中低频宽带陶瓷滤波器用压电陶瓷，其特征在于：所述BiGaO₃的制备过程包括：将常规的化学原料Bi₂O₃和Ga₂O₃按1/2：1/2摩尔比配料，研磨混合均匀后放入氧化铝坩埚内于850℃～900℃保温120分钟，固相反应合成BiGaO₃，冷却后研磨过200目筛，备用。

4.如权利要求1所述的一种中低频宽带陶瓷滤波器用压电陶瓷，其特征在于：所述压电陶瓷的组成为：(xBi(Fe_0.9Mn_0.1)O₃-mBiGaO₃-y(Pb_0.89Sr_0.1Mg_0.01)(Ti_0.51Zr_0.49)O₃)+0.04～0.6wt.％In₂O₃+0.03～0.5wt.％LiNbO₃；其中，0.02≤x≤0.08mol，0.02≤m≤0.08mol，0.84≤y≤0.96mol，x+m+y=1。

5.如权利要求1所述的一种中低频宽带陶瓷滤波器用压电陶瓷，其特征在于：(xBi(Fe_0.9Mn_0.1)O₃-mBiGaO₃-y(Pb_0.89Sr_0.1Mg_0.01)(Ti_0.51Zr_0.49)O₃)+0.05～0.5wt.％In₂O₃+0.05～0.4wt.％LiNbO₃；其中，0.025≤x≤0.065mol，0.025≤m≤0.065mol，0.87≤y≤0.95mol，x+m+y=1。