[发明专利]磁共振复合线圈和磁共振成像系统

权利要求书

1.一种磁共振复合线圈，其特征在于：包括根据磁体的中心水平面镜像对称的上复合线圈和下复合线圈；     所述上复合线圈中进一步包括上梯度线圈和上射频线圈，所述下复合线圈中进一步包括下梯度线圈和下射频线圈；所述上梯度线圈和下梯度线圈的电气结构根据磁体的中心水平面镜像对称；所述上射频线圈和下射频线圈的电气结构根据磁体的中心水平面镜像对称；     所述上梯度线圈中进一步包括上X梯度线圈、上Y梯度线圈、以及上Z梯度线圈；所述下梯度线圈中进一步包括下X梯度线圈、下Y梯度线圈、以及下Z梯度线圈；     所述上X梯度线圈和下X梯度线圈用于在所述磁体的成像空间内产生X方向的梯度磁场，所述上Y梯度线圈和下Y梯度线圈用于在所述磁体的成像空间内产生Y方向的梯度磁场，和所述上Z梯度线圈和下Z梯度线圈用于在所述磁体的成像空间内产生Z方向的梯度磁场；     所述上射频线圈和下射频线圈用于在所述磁体的成像空间内产生磁共振频率下的射频磁场；     所述上射频线圈中的导体穿过所述上梯度线圈，并经过所述上梯度线圈的上表面和下表面构成回路；所述下射频线圈中的导体穿过所述下梯度线圈，并经过所述下梯度线圈的上表面和下表面构成回路。

2.如权利要求1所述的磁共振复合线圈，其特征在于，所述上射频线圈中的导体仅穿过所述上梯度线圈中的上X梯度线圈、上Y梯度线圈、和上Z梯度线圈中的一种或者两种梯度线圈，并经过其上表面和下表面构成回路；对应地，所述下射频线圈中的导体仅穿过所述下梯度线圈中的下X梯度线圈、下Y梯度线圈、和下Z梯度线圈中的一种或者两种梯度线圈，并经过其上表面和下表面构成回路。

3.如权利要求1或者2所述的磁共振复合线圈，其特征在于，所述上射频线圈中的导体在所述上梯度线圈的上表面和下表面上有等量的、平行排列的长导体；对应地，所述下射频线圈的导体在所述下梯度线圈的上表面和下表面上有等量的、平行排列的长导体。

4.如权利要求3所述的磁共振复合线圈，其特征在于，所述平行排列的长导体有3条以上。

5.如权利要求4所述的磁共振复合线圈，其特征在于，所述上射频线圈和下射频线圈中还包括调谐串联电容，所述调谐串联电容位于所述上梯度线圈的上表面和下梯度线圈的下表面。

6.一种磁共振成像系统，包括用于产生静态磁场B₀的磁体，为所述磁共振成像系统供电的电源系统，用于处理收集的磁共振信号的计算机成像系统；其特征在于，还包括如权利要求1至5中所述的任意一个磁共振复合线圈。

7.如权利要求6所述的磁共振成像系统，其特征在于，还包括射频接收线圈，用于收集样品发射的射频信号，并通过匹配电缆传送给所述计算机成像系统。