[发明专利]磁成像传感器

权利要求书

1.一种磁成像传感器，包括磁芯片，所述磁芯片包括多条磁感应膜和焊盘，所述多条磁感应膜通过引线连接成惠斯通电桥，所述焊盘作为所述磁芯片的输入输出端与对应地所述磁感应膜电连接，其特征在于，所述多条磁感应膜在纵向间隔设置。

2.根据权利要求1所述的磁成像传感器，其特征在于，包括多个磁芯片，所述多个磁芯片横向排列设置形成磁矩阵。

3.根据权利要求1所述的磁成像传感器，其特征在于，在纵向方向上，所述多条磁感应膜的端部齐平。

4.根据权利要求1所述的磁成像传感器，其特征在于，在纵向方向上，所述多条磁感应膜的端部不齐平。

5.根据权利要求1所述的磁成像传感器，其特征在于，所述磁芯片包括四条磁感应膜和四个焊盘，所述四个磁感应膜通过引线连接成惠斯通全桥，所述四条焊盘作为所述惠斯通全桥的输入输出端与所述磁感应膜对应电连接。

6.根据权利要求1所述的磁成像传感器，其特征在于，所述磁感应膜为巨磁阻膜、霍尔效应膜、各向异性磁阻膜、隧道效应磁阻膜或巨霍尔效应膜。

7.根据权利要求1所述的磁成像传感器，其特征在于，还包括线路板和焊针，所述磁芯片固定于所述线路板，在所述线路板上设有布线，所述焊针通过线路板与所述磁芯片的输入输出端对应电连接。

8.根据权利要求1所述的磁成像传感器，其特征在于，还包括：

永磁体，用于预磁化弱磁防伪标识；

调制装置，用于调节所述永磁体的磁场分布；所述调制装置包括第一调制臂、第二调制臂、第三调制臂和第四调制臂，所述第一调制臂与所述第二调制臂的相向侧形成第一容纳空间，所述第二调制臂与所述第三调制臂的相向侧形成第二容纳空间，所述第三调制臂和所述第四调制臂的相向侧形成第三容纳空间；所述磁芯片设于所述第二容纳空间，所述永磁体设于所述第一容纳空间和所述第三容纳空间，所述第一调制臂、第二调制臂、第三调制臂和第四调制臂用以消除或减小所述永磁体的磁场在所述第二容纳空间内的水平分量。

9.根据权利要求8所述的磁成像传感器，其特征在于，所述磁调制装置还包括连接体，所述连接体将所述第一调制臂、所述第二调制臂、所述第三调制臂和所述第四调制臂连接为一体，且所述第一调制臂、所述第二调制臂、所述第三调制臂和所述第四调制臂位于所述连接体的同侧。

10.根据权利要求8所述的磁成像传感器，其特征在于，所述第二调制臂和所述第三调制臂的相向侧设有凸部。

11.根据权利要求8所述的磁成像传感器，其特征在于，所述磁调制装置采用坡莫合金或铁氧体或硅钢片制作。

12.根据权利要求8所述的磁成像传感器，其特征在于，包括壳体，在所述壳体上设有窗口，所述磁芯片、所述线路板和所述磁调制装置设于所述壳体内，所述磁芯片、所述磁调制装置和所述永磁体与所述窗口相对，所述焊针的一端自所述壳体内伸出；

所述线路板设有与所述调制臂匹配的通孔，所述调制臂通过所述通孔使其顶端位于所述线路板的上方，其底端位于所述线路板的下方。