[发明专利]一种带挡弧盘的真空开关触发电极结构

权利要求书

1.一种真空开关触发电极结构，其特征在于，它包括钼环(2)、陶瓷套管(3)、触发极(4)、触发极凹槽(5)、沿面绝缘层(6)和触发挡弧盘(7)；

钼环(2)和陶瓷套管(3)均为带轴向贯穿孔的圆柱体，陶瓷套管(3)的轴向贯穿孔靠近主间隙一端设置有渐开式斜槽，触发极(4)为轴对称形，其中部为圆台形状，上下两端为圆柱体，圆柱体半径与圆台小端半径相等，触发极(4)、陶瓷套管(3)和钼环(2)由内至外同轴布置，触发极(4)的圆台的侧面与陶瓷套管(3)的贯穿孔渐开式斜槽相配合；触发极凹槽(5)设置于钼环(2)、陶瓷套管(3)及触发极(4)外围，形状设置为渐开式凹槽；沿面绝缘层(6)设置于陶瓷套管(3)位于触发极凹槽(5)内的一端表面；触发挡弧盘(7)设置于触发极(4)位于主间隙一端的端面，以增大触发极(4)靠近主间隙一端端面的径向面积。

2.根据权利要求1所述的真空开关触发电极结构，其特征在于，触发挡弧盘(7)为圆饼状，边缘倒圆角，其半径大于陶瓷套管(3)的外半径，以减轻触发极的存在对主电场的畸变，以及减轻真空开关工作过程中触发极(4)小曲率尖端的烧蚀退化现象，并且避免主间隙导通放电时金属液滴喷溅冷凝覆盖沿面绝缘层的可能性。

3.根据权利要求1或2所述的真空开关触发电极结构，其特征在于，低电极或高电极开有且与钼环(2)同轴的贯穿孔，触发电极结构位于低电极或高电极该贯穿孔内，所述触发极凹槽(5)设置在所述低电极或高电极上，沿面触发产生的等离子体通过触发极凹槽(5)快速进入主间隙的真空介质内，降低击穿电压，保证触发可靠性。

4.根据权利要求1或2所述的真空开关触发电极结构，其特征在于，触发极(4)与触发挡弧盘(7)之间紧密连接，保证触发极(4)与触发挡弧盘(7)的等电位。

5.根据权利要求1或2所述的真空开关触发电极结构，其特征在于，所述钼环(2)与陶瓷套管(3)、触发极(4)与陶瓷套管(3)之间紧密连接，保证钼环(2)与陶瓷套管(3)、触发极(4)与陶瓷套管(3)之间的致密性。

6.根据权利要求1或2所述的真空开关触发电极结构，其特征在于，沿面绝缘层(6)为半导体材料涂层，或者利用陶瓷套管(3)顶端的表面釉层。

7.根据权利要求1或2所述的真空开关触发电极结构，其特征在于，触发极凹槽(5)内的钼环(2)表面、陶瓷套管(3)表面及触发极(4)圆台大端表面相平齐。