[发明专利]一种光电器件的排气激活方法

说明书

技术领域

本发明设计一种光电器件的制备方法，具体涉及一种光电器件，如光电倍增管的排气激活方法。

背景技术

光电器件，如光电倍增管在制备过程中，除了按电真空器件通用的排气工艺进行外，还需在排气过程中完成光电阴极和倍增极的激活工艺，它实质上包含有排气和激活两个过程。由于光电器件的管壳是由多达20个陶瓷环和20个金属圆环相间封接而构成的，其极间距离极小，流阻极大，若采取传统的光电器件排气工艺无法去除滞留在管内的多余碱金属，光电倍增管的暗电流很大，导致该管质量较差，合格率极低，性能较差，不能满足高要求的标准。

因此，很有必要在现有技术的基础之上研发设计一种能有效去除光电倍增管内多余碱金属，滞留在光电器件的管壳内腔中造成电极间的欧姆漏电（暗电流）从而达到提高光电器件性能。

发明内容

发明目的：本发明的目的是为了解决现有技术的不足，提供一种可操作性强，能最大限度排除光电器件内的多余碱金属蒸汽，降低光电倍增管的暗电流，提高光电器件性能和质量的光电倍增管的排气激活方法。

技术方案：为了实现以上目的，本发明所采取的技术方案为：

一种光电器件的排气激活方法，它包括以下步骤：

（1）将光电器件的排气管与真空排气台的真空系统相连接，然后开启真空排气台，对光电器件进行抽气，当光电器件内的真空度达到5×10^-3Pa至5.5×10^-3Pa时，预抽2至4h后给光电器件进行加温到300℃至400℃，保温4h至8h进行除气，然后降至室温；

（2）然后对光电器件通入氢气净化阴极平板，对聚焦极、各级倍增极、末级倍增极、阳极进行1200V至1500V高压放电去毛刺；

（3）然后将光电器件接入蒸锑通电回路进行蒸锑处理，蒸锑电流为1A～1.3A，蒸锑时间5至10分钟；

（4）开启高频电炉，用高频线圈烘烤钾管和铯管进行预先除气，直到钾管内的真空度不低于1×10^-4Pa时停止烘烤，然后烤出钾蒸汽赶至与排气管相连的小球内，摘除钾管；

（5）分别将光电器件的阴极与光电器件的第一倍增极接到激活电源上，钨丝灯光源固定在光电器件窗前端40～50mm处，使倍增区温度控制在200℃～250℃，阴极区温度控制在210℃～220℃，把小球内钾蒸汽赶至光电器件内，进钾激活，反复数次直到阴极面变为紫红色，摘除小球，然后烘去光电器件内的余钾；

（6）开启高频电炉，用高频线圈烘烤，对铯管除气，直到铯管内的真空度不低于1×10^-4Pa时停止烘烤，烤出铯蒸汽赶至与排气管相连的另一个小球内；

（7）在220℃至250℃的温度下引小球内铯蒸汽进入光电器件内，进行慢激活，当光电器件管的光电流上升至最大值后摘除铯管；

（8）将光电器件中的倍增区部位保持加热温度200℃～250℃，并且把光电器件中的阴极区保持加热温度150℃～200℃，分别烘烤24h至72h，烘去光电器件管内残余的碱金属，最后封离光电器件管。

作为优选方案，以上所述的光电器件的排气激活方法，步骤(1)当光电器件内的真空度达到5×10^-3Pa时，预抽2 h后给光电器件进行加温到330℃至370℃，保温4h进行除气，然后降至室温。 

本发明步骤（2）通过大量实验筛选对光电器件管通入氢气净化阴极平板，和对各极进行高压放电去毛刺的工艺，可以有效去除各极的毛刺等杂质，可以防止光电器件管工作时出现打火等现象，提高工作性能，取得了很好的技术效果。

本发明步骤（3）通过大量实验筛选出蒸锑处理的最佳工艺方法，锑层厚度适中，为后期的光电阴极激活打下良好基础，取得了很好的技术效果，可克服现有技术的不足。

本发明步骤（5）和步骤（7）通过大量实验筛选对光电器件管进行引钾激活和引铯激活的工艺，可以高效的激活光电器件，使光电阴极和倍增极的发射表面达到最佳的发射能力，光电阴极的光电转换能力、电极的次级发射性能取得了很好的技术效果，可克服现有技术的不足。