[发明专利]移位寄存器单元、移位寄存器和显示装置

权利要求书

1.一种移位寄存器单元，其特征在于，包括：

第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管、第三薄膜晶体管、第四薄膜晶体管、第五薄膜晶体管、第六薄膜晶体管、第七薄膜晶体管、第八薄膜晶体管、第九薄膜晶体管、第十薄膜晶体管、第十一薄膜晶体管、第十二薄膜晶体管、第一电容、第二电容、起始信号输入端、第一时钟信号输入端、第二时钟信号输入端、第一低电平输出端、第二低电平输出端、驱动信号输出端、进位信号输出端和复位信号输出端，其中，

所述第一薄膜晶体管，栅极与所述第一时钟信号输入端连接，第一极与所述第二薄膜晶体管的第二极连接，第二极与所述起始信号输入端连接；

所述第二薄膜晶体管，栅极与所述第一时钟信号输入端连接，第一极与所述第三薄膜晶体管的栅极连接；

所述第三薄膜晶体管，栅极通过所述第一电容与所述第三薄膜晶体管的第一极连接，第二极与所述第二时钟信号输入端连接；

所述第四薄膜晶体管，栅极通过所述第二电容与所述第二低电平输出端连接，第一极与所述第一低电平输出端连接，第二极与所述第三薄膜晶体管的第一极连接；

所述第五薄膜晶体管，栅极与所述第一时钟信号输入端连接，第一极与所述第四薄膜晶体管的栅极连接，第二极与所述第一时钟信号输入端连接；

所述第六薄膜晶体管，栅极与所述第三薄膜晶体管的栅极连接，第一极与所述第一低电平输出端连接，第二极与所述第四薄膜晶体管的栅极连接；

所述第七薄膜晶体管，栅极与所述第四薄膜晶体管的栅极连接，第一极与所述第八薄膜晶体管的第二极连接，第二极与所述第三薄膜晶体管的栅极连接；

所述第八薄膜晶体管，栅极与所述第四薄膜晶体管的栅极连接，第一极与第一低电平输出端连接；

所述第九薄膜晶体管，栅极与所述进位信号输出端连接，第一极与所述驱动信号输出端连接，第二极分别与所述第一薄膜晶体管的第一极和所述第七薄膜晶体管的第一极连接；所述第十薄膜晶体管，栅极与所述第三薄膜晶体管的栅极连接，第一极与所述驱动信号输出端连接，第二极与所述第二时钟信号输入端连接；

所述第十一薄膜晶体管，栅极与所述复位信号输出端连接，第一极与所述第二低电平输出端连接，第二极与所述驱动信号输出端连接；

所述第十二薄膜晶体管，栅极与所述第四薄膜晶体管的栅极连接，第一极与所述第二低电平输出端连接，第二极与所述驱动信号输出端连接。

2.如权利要求1所述的移位寄存器单元，其特征在于，所述第三薄膜晶体管、所述第四薄膜晶体管、所述十薄膜晶体管和所述十一薄膜晶体管为耗尽型薄膜晶体管。

3.如权利要求2所述的移位寄存器单元，其特征在于，

所述第三薄膜晶体管的阈值电压、所述第四薄膜晶体管的阈值电压、所述第十薄膜晶体管的阈值电压和所述第十一薄膜晶体管的阈值电压相同，都为耗尽阈值电压；

所述第一低电平小于所述第二低电平，并且所述第一低电平与所述第二低电平的差值的绝对值大于所述耗尽阈值电压的绝对值。

4.一种移位寄存器，其特征在于，包括多级如权利要求1至3中任一权利要求所述的移位寄存器单元；

除了第一级移位寄存器单元之外，每一级移位寄存器单元的起始信号输入端和上一级移位寄存器单元的进位信号输出端连接。

5.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求4所述的移位寄存器。