[发明专利]降低单畴钆钡铜氧超导块材成本的制备方法

权利要求书

1.一种降低单畴钆钡铜氧超导块材成本的制备方法，其特征在于它由下述步骤组成：

（1）压制先驱块

将Gd₂O₃与无水BaO、CuO按摩尔比为1:2～3.5:2.67～5.17球磨混合均匀，加入混合物总质量3%～5%的去离子水，混合均匀，压制成圆柱体状先驱块；

（2）压制支撑块

将Yb₂O₃粉压制成直径不小于先驱块直径的圆柱体状支撑块；

（3）坯体装配

在Al₂O₃垫片上表面至下而上依次放置MgO单晶片、支撑块、先驱块、钕钡铜氧籽晶块，装配成坯体；

（4）顶部籽晶金属氧化物熔化生长单畴钆钡铜氧块材

将装配好的坯体放入管式炉中，以每小时100～150℃的升温速率升温至900℃，保温18～24小时，再以每小时40～80℃的升温速率升温至1055～1065℃，保温1～2.5小时，然后以每小时60℃的降温速率降温至1033～1038℃，以每小时0.5～1℃的降温速率慢冷至1028～1032℃，以每小时0.1～0.3℃的降温速率慢冷至1010～1020℃，随炉自然冷至室温，得到单畴钆钡铜氧块材；

（5）渗氧处理

将单畴钆钡铜氧块材置入石英管式炉中，在流通氧气气氛、410～330℃的温区中慢冷200小时，得到单畴钆钡铜氧超导块材。

2.根据权利要求1所述的降低单畴钆钡铜氧超导块材成本的制备方法，其特征在于：在压制先驱块步骤（1）中，将Gd₂O₃与无水BaO、CuO按摩尔比为1:2.67:3.78球磨混合均匀，加入混合物总质量3%～5%的去离子水，混合均匀，压制成圆柱体状先驱块。

3.根据权利要求1所述的降低单畴钆钡铜氧超导块材成本的制备方法，其特征在于：在坯体装配步骤（3）中，所述的MgO单晶片是等高的3～5片MgO单晶片。

4.根据权利要求1所述的降低单畴钆钡铜氧超导块材成本的制备方法，其特征在于：所述支撑块的直径与先驱块的直径相同。

5.根据权利要求1所述的降低单畴钆钡铜氧超导块材成本的制备方法，其特征在于：在顶部籽晶金属氧化物熔化生长单畴钆钡铜氧块材步骤（4）中，将装配好的坯体放入管式炉中，以每小时120℃的升温速率升温至900℃，保温20小时，再以每小时60℃的升温速率升温至1060℃，保温2小时，然后以每小时60℃的降温速率降温至1035℃，以每小时0.5℃的降温速率慢冷至1030℃，以每小时0.2℃的降温速率慢冷至1015℃，随炉自然冷至室温，得到单畴钆钡铜氧块材。