[发明专利]磁共振成像装置

说明书

发明为下述申请的分案申请，原申请信息如下：

申请号：201010164376.8

申请日：2010年05月06日

发明名称：磁共振成像装置

本申请要求2009年9月28日提出申请的日本专利申请号2009－223238及2010年1月29日提出申请的日本专利申请号2010－19551的优先权，在本申请中引用该日本专利申请的全部内容。

技术领域

本发明涉及磁共振成像装置。

背景技术

磁共振成像装置是对置于静磁场内的被检体施加高频磁场、检测通过高频磁场的施加而从被检体发出的磁共振信号、并生成图像的装置。这样的磁共振成像装置具备通过对被检体施加梯度磁场而对磁共振信号附加空间的位置信息的梯度磁场线圈。

该梯度磁场线圈通过在摄像中被反复供给脉冲电流而较大地发热。特别是，近年来，随着成像技术的高速化，梯度磁场的切换(switching)的高速化及梯度磁场的高强度化成为必须，梯度磁场线圈的发热变得更显著。

并且，梯度磁场线圈的发热有可能给摄像的图像的画质带来影响、或给作为摄像对象的被检体带来痛苦等。所以，例如提出了通过使制冷剂在设在梯度磁场线圈的内部中的冷却管中循环，在摄像中使梯度磁场线圈冷却的技术（例如，参照日本特开2006－311957号公报）。

图11是用来说明使用冷却管的以往技术的一例的图。图11表示作为梯度磁场线圈一般使用的ASGC（Actively Shielded Gradient Coil：有源屏蔽梯度线圈）。在图11中，上侧的面表示ASGC的外周面，下侧的面表示ASGC的内周面。这里，在ASGC的内侧，形成有放置被检体的摄像区域。

如图11所示，ASGC具有分别形成为圆筒状的主线圈1及屏蔽线圈（shield coil）2。此外，例如在主线圈1与屏蔽线圈2之间，形成有在梯度磁场线圈20的两端面上形成开口的贯通孔作为匀场片托盘（shim tray）插入导引部（guide）3。在该匀场片托盘插入导引部3中插入匀场片托盘4，该匀场片托盘4收容有用来修正放置被检体的摄像区域内的静磁场不均匀性的铁匀场片(shim)5。进而，在主线圈1的内侧，设有RF屏蔽部7，用来屏蔽从配置在ASGC的内侧的RF（Radio Frequency：射频）线圈发出的高频磁场。

在这样的ASGC中，例如在主线圈1与匀场片托盘插入导引部3之间，设有形成为螺旋状的主线圈侧冷却管6a。此外，在屏蔽线圈2与匀场片托盘插入导引部3之间，设有形成为螺旋状的屏蔽线圈侧冷却管6b。通过使冷却水等的制冷剂循环到这些主线圈侧冷却管6a及屏蔽线圈侧冷却管6b中而将ASGC冷却。

但是，近年来，磁共振成像装置有形成摄像区域的孔径（bore）的口径变大的趋势。如果孔径的口径变大则梯度磁场线圈的直径也变大，所以对梯度磁场线圈供给的电力进一步变大。结果，梯度磁场线圈的发热越发变大，随之，处于梯度磁场线圈的内侧的摄像区域内的温度上升变得更显著。

发明内容

有关本发明的一技术方案的磁共振成像装置，具备：静磁场磁铁，在放置被检体的摄像区域中产生静磁场；主线圈，设在上述静磁场磁铁的内侧，对放置在上述静磁场内的被检体施加梯度磁场；屏蔽线圈，设在上述静磁场磁铁与上述主线圈之间，屏蔽由上述主线圈产生的梯度磁场；高频线圈，设在上述主线圈的内侧，对放置在上述静磁场内的被检体施加高频磁场；高频屏蔽部，设在上述主线圈与上述高频线圈之间，屏蔽由上述高频线圈产生的高频磁场；以及主线圈内层冷却管，设在上述主线圈的内侧，且设在上述高频线圈与上述高频屏蔽部之间，使制冷剂在管内流通。

此外，有关本发明的另一技术方案的磁共振成像装置，具备：静磁场磁铁，在放置被检体的摄像区域中产生静磁场；主线圈，设在上述静磁场磁铁的内侧，对放置在上述静磁场内的被检体施加梯度磁场；主线圈内层冷却管，设在上述主线圈的内侧，使制冷剂在管内流通；以及主线圈外层冷却管，设在上述主线圈的外侧，使制冷剂在管内流通；上述主线圈内层冷却管及上述主线圈外层冷却管分别夹着上述主线圈而设置。

附图说明

图1是表示有关本实施例的MRI装置的结构的结构图。

图2是表示梯度磁场线圈的构造的立体图。

图3是表示梯度磁场线圈的内部构造的构造图

图4是RF屏蔽部的外观图。

图5是RF屏蔽部的展开图。

图6是用来说明在RF屏蔽部上形成的各狭缝（slit）的作用的图。