[发明专利]纵振亥姆霍兹深水低频宽带换能器

权利要求书

1.一种纵振亥姆霍兹深水低频宽带换能器，其特征在于，所述换能器包含：

薄壁外壳(1)、下端盖(2)、上端盖(3)、若干亥姆霍兹管(4)和中心驱动单元；

所述上端盖(3)、下端盖(2)分别与薄壁外壳(1)的上端口和下端口刚性相连，形成腔体；所述亥姆霍兹管(4)位于上端盖和下端盖上，实现腔体内外贯通；

其中，所述中心驱动单元为：固定于上端盖(3)且深入腔体中的预应力螺杆(9)，该预应力螺杆(9)的外壁相隔一定距离的圆周上设置压电陶瓷堆(7)；螺杆(9)另一端固定于下端盖(2)中，所述压电陶瓷堆(7)的外表面铺设水密层(11)；

所述上端盖(3)和下端盖(2)的中部分别设置上质量块(6)和下质量块(5)；

且所述上质量块(6)与所述预应力螺杆(9)的上部固定相连，该上质量块(6)下端可深入腔体中，绝缘片(12)的上表面与上质量块(6)的下表面相接触；

所述预应力螺杆(9)的下部深入下质量块(5)中，且下质量块(5)的上表面与另一绝缘片(12)的下表面相接触；

所述下端盖(2)和上端盖(3)分别与下质量块(5)和上质量块(6)刚性连接。

2.根据权利要求1所述的纵振亥姆霍兹深水低频宽带换能器，其特征在于，所述中心驱动单元为一个，布放于上端盖(3)和下端盖(2)的中部。

3.根据权利要求1所述的纵振亥姆霍兹深水低频宽带换能器，其特征在于，所述中心驱动单元为多个，且多个中心驱动单元在腔体中关于轴线为中心的圆周上均匀布放。

4.根据权利要求1、2或3所述的纵振亥姆霍兹深水低频宽带换能器，其特征在于，所述压电陶瓷堆(7)上表面和下表面分别经过绝缘块(12)与上端盖(3)和下端盖(2)相接触。

5.根据权利要求1、2或3所述的纵振亥姆霍兹深水低频宽带换能器，其特征在于，所述压电陶瓷堆(7)的上表面和下表面分别经过绝缘块(12)与上质量块(6)和下质量块(5)相接触。

6.根据权利要求1所述的纵振亥姆霍兹深水低频宽带换能器，其特征在于，所述的压电陶瓷堆(7)包含压电陶瓷材料、稀土超磁致伸缩材料或压电单晶材料之一。

7.根据权利要求6所述的纵振亥姆霍兹深水低频宽带换能器，其特征在于，当压电陶瓷堆(7)包含稀土超磁致伸缩材料时，

所述中心驱动单元为：预应力螺杆(9)的螺母部分定位于上质量块(6)中，预应力螺杆(9)从上向下依次穿过：上质量块(6)、上导磁块(17)、和由永磁材料(16)和稀土超磁致伸缩材料(14)构成的重复结构，然后穿过下导磁块(17)，最后将该预应力螺杆(9)固定于下质量块(5)中；

且距所述预应力螺杆(9)圆周外侧一定距离同心布放永磁材料(16)和稀土超磁致伸缩材料(14)，线圈(15)套在永磁材料(16)和稀土超磁致伸缩材料(14)的外径上，圆周导磁块(17)套在线圈结构(15)外侧；

所述圆周导磁块(17)和连接上质量块(6)和下质量块(5)的上导磁块(17)和下导磁块(17)形成闭合磁路。

8.根据权利要求1所述的纵振亥姆霍兹深水低频宽带换能器，其特征在于，所述亥姆霍兹管(4)长度等于上端盖(3)或下端盖(2)的厚度；或

亥姆霍兹管(4)的长度分别向上端盖(3)和下端盖(2)两端延长。

9.根据权利要求1所述的纵振亥姆霍兹深水低频宽带换能器，其特征在于，所述薄壁外壳(1)采用凸壳、圆筒或凹壳形式。

10.根据权利要求1所述的纵振亥姆霍兹深水低频宽带换能器，其特征在于，所述腔体内部设置若干顺性管(13)，软连接于薄壁外壳(1)；

其中，所述软连接所采用的材料包含：绳或网。