[发明专利]一种串并联三冗余角位移传感器有效
申请号: | 201310292002.8 | 申请日: | 2013-07-12 |
公开(公告)号: | CN104279943B | 公开(公告)日: | 2017-07-18 |
发明(设计)人: | 李丹佳;蒋晓彤;李文璋;郭鹏;王彦奎 | 申请(专利权)人: | 北京精密机电控制设备研究所;中国运载火箭技术研究院 |
主分类号: | G01B7/02 | 分类号: | G01B7/02 |
代理公司: | 核工业专利中心11007 | 代理人: | 王朋 |
地址: | 100076*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 串并联 冗余 位移 传感器 | ||
1.一种串并联三冗余角位移传感器,其特征在于:它包括电阻环组件(4)、电刷组件、轴组件(1)、上盖板(2)和下盖板(3)组成;电阻环组件(4)安装在下盖板(3)上,轴组件(1)穿过电阻环组件(4),轴组件(1)的下部穿出下盖板(3),上盖板(2)安装在电阻环组件(4)上;
所述的电阻环组件(4)包括两个电阻环,电阻环Ⅰ包括骨架Ⅰ(5)、电阻膜Ⅰ(8)、铆钉组Ⅰ(6)和导电条Ⅰ(7);骨架Ⅰ(5)为圆弧状,材料为热塑性聚酰亚胺;电阻膜Ⅰ(8)为圆环状膜层,电阻膜Ⅰ(8)均匀地贴覆在骨架Ⅰ(5)的内环上;铆钉组Ⅰ(6)安装在骨架Ⅰ(5)的上端面上,包括铆钉组Ⅰ正端(9)、铆钉组Ⅰ负端(10)、铆钉组Ⅰ中心抽头(11)、铆钉组Ⅰ输出端a(12)和铆钉组Ⅰ输出端b(13),铆钉组Ⅰ正端(9)、铆钉组Ⅰ负端(10)、铆钉组Ⅰ中心抽头(11)构成铆钉组Ⅰ(6)a,与铆钉组Ⅰ输出端a(12)和铆钉组Ⅰ输出端b(13)构成的铆钉组Ⅰ(6)b沿骨架内环直径对称分布;铆钉组Ⅰ中心抽头(11)位于铆钉组Ⅰ正端(9)和铆钉组Ⅰ负端(10)中间;导电条Ⅰ(7)通过环氧树脂胶粘剂固定于骨架Ⅰ(5)内环与电阻膜Ⅰ(8)相对的位置上,其覆盖的范围超出了铆钉组Ⅰ输出端a(12)至铆钉组Ⅰ输出端b(13)之间的范围。
2.根据权利要求1所述的一种串并联三冗余角位移传感器,其特征在于:电阻环Ⅱ包括骨架Ⅱ(14)、电阻膜Ⅱ(17)、铆钉组Ⅱ(15)和导电条Ⅱ(16);骨架Ⅱ(14)为圆环状;
电阻膜Ⅱ(17)分为两段,它为不连续的圆弧状膜层,它均匀地贴覆在骨架Ⅱ(14)内环上;铆钉组Ⅱ(15)安装在骨架Ⅱ(14)的上端面,铆钉组Ⅱ(15)包括铆钉组Ⅱ正端a(18)、铆钉组Ⅱ正端b(19),铆钉组Ⅱ负端a(20)、铆钉组Ⅱ负端b(21)、铆钉组Ⅱ中心抽头a(22)、铆钉组Ⅱ中心抽头b(23)、铆钉组Ⅱ输出端a(24)、铆钉组Ⅱ输出端b(25)、铆钉组Ⅱ输出端c(26)、铆钉组Ⅱ输出端d(27);铆钉组Ⅱ正端a(18)、铆钉组Ⅱ负端a(20)和铆钉组Ⅱ中心抽头a(22)安装在骨架Ⅱ(14)上端面上与电阻膜Ⅱ(17)中的一段对应的位置上,铆钉组Ⅱ中心抽头a(22)安装在铆钉组Ⅱ正端a(18)和铆钉组Ⅱ负端a(20)中心处;铆钉组Ⅱ正端b(19)、铆钉组Ⅱ负端b(21)和铆钉组Ⅱ中心抽头b(23)安装在骨架Ⅱ(14)上端面上与电阻膜Ⅱ(17)中的另一段对应的位置上,铆钉组Ⅱ中心抽头b(23)安装在铆钉组Ⅱ正端b(19)和铆钉组Ⅱ负端b(21)中心处;铆钉组Ⅱ输出端a(24)、铆钉组Ⅱ输出端b(25)安装在骨架Ⅱ(14)上端面上与电阻膜Ⅱ(17)中的一段沿直径对称的位置上;铆钉组Ⅱ输出端c26、铆钉组Ⅱ输出端d27安装在骨架Ⅱ(14)上端面上与电阻膜Ⅱ(17)中的另一段沿直径对称的位置上;
导电条Ⅱ(16)分为两段:导电条Ⅱ(16)a和导电条Ⅱ(16)b,其中,导电条Ⅱ(16)a通过环氧树脂胶粘剂固定于骨架Ⅱ(14)内环与电阻膜Ⅱ(17)中的一段沿直径对称的位置上,导电条Ⅱ(16)a覆盖的范围超出了铆钉组Ⅱ输出端a(24)至铆钉组Ⅱ输出端c(26)之间的范围;导电条Ⅱ(16)b通过环氧树脂胶粘剂固定于骨架Ⅱ(14)内环与电阻膜Ⅱ(17)中的另一段沿直径对称的位置上,导电条Ⅱ(16)b覆盖的范围超出了铆钉组Ⅱ输出端b(25)至铆钉组Ⅱ输出端d(27)之间。
3.根据权利要求1所述的一种串并联三冗余角位移传感器,其特征在于:所述的电阻膜由电阻液在骨架上喷制而成。
4.根据权利要求3所述的一种串并联三冗余角位移传感器,其特征在于:所述的电阻液是树脂和石墨、硅微粉的混合物。
5.根据权利要求1所述的一种串并联三冗余角位移传感器,其特征在于:所述的电阻膜的制备方法如下:
(1)将焙烧后的石墨粉和硅微粉按照重量为3:1的比例放入干燥箱中烘干,在120℃条件下保温1h;
(2)将石墨粉和硅微粉放入球磨罐中,球磨72h;
(3)加入SP14酚醛树脂溶液球磨48h;
(4)用喷涂法将电阻液喷在绝缘材料做成的骨架上,制成电阻膜;
(5)进行电、热老炼,使电阻膜的阻值在2000±300Ω范围内。
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