[发明专利]多重无线电标准的低噪声放大器在审
申请号: | 201310288540.X | 申请日: | 2013-07-10 |
公开(公告)号: | CN103546102A | 公开(公告)日: | 2014-01-29 |
发明(设计)人: | 李强;周思宁 | 申请(专利权)人: | 晨星半导体股份有限公司 |
主分类号: | H03F1/26 | 分类号: | H03F1/26 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 陈亮 |
地址: | 中国台湾新竹县*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 多重 无线电 标准 低噪声放大器 | ||
技术领域
本发明有关于射频(RF)接收器的设计及实现,且特别是有关于多重无线电标准的低噪声放大器(LNA)的设计及实行。
背景技术
支持多重无线电标准的单一集成电路芯片多为IC中多重电路模块的直觉简单组合,其中每个模块支持单一无线电标准。举例而言,GSM增强数据率(Enhanced Data Rates for GSM,EDGE)及整合封包无线电服务(General Packet Radio Services,GPRS)的频率频带为850MHz、900MHz、1.8GHz以及1.9GHz,且EDGE及GPRS的已知芯片使用三个或四个独立低噪声放大器(LNA)与相同数目的混频器串级,混频器的输出被合并在一起以馈入单一基带电路。这种方法具有多个缺点。例如,因为每一个LNA及混频器需要至少一感应装置(其在尺寸上是巨大的),所以需要相当大的半导体区域。再者,为了合并来自不同混频器的输出,需要能遍及大型半导体区域的长距离配线,但这种配线难以达到低信号损失、低寄生电阻以及低寄生电容。
鉴于前文,比起已知技术,提供一种在单一芯片上使用更少LNA及/或混频器的系统及方法是受到高度期望且有利的,其能支持多重无线电标准。
发明内容
在说明书中揭示了一种示范低噪声放大器,其包含多个输入端、一输出端、多个放大级以及一退化电感器。每个放大器具有串联连接在其中一个输入端与输出端之间的一增益级及一缓冲级。缓冲级选择性地将增益级的一输出引流至输出端或一电源供应部。退化电感器共同连接至每一个放大级中的增益级。
一种操作低噪声放大器的示范方法亦被揭示。低噪声放大器包含多个输入端、一输出端以及多个放大级,各放大级包含耦接在其中一个输入端与输出端之间的一增益级。在放大级之间的一第一放大级藉由使第一放大级的增益级偏压至一休止(OFF)状态并将一输出电流从第一放大级的增益级引流至一电源供应部而被禁能。在放大级之间的一第二放大级藉由使第二放大级的增益级偏压至一启动(ON)状态并将一输出电流从第二放大级的增益级引流至输出端而被致能。
藉由参考附图之后来详细说明及例子,可更完全理解本发明。
附图说明
图1说明了依据本发明的一实施例的一多频段RF接收器;
图2说明显示于图1的LNA;及
图3显示当放大级262被致能时,图2的LNA中的某些结果信号路径。
主要元件符号说明
BI1-BIn:偏压
BS_P1、BS_P2、BS_N2:缓冲级
EN1-ENn:控制信号
GS_P1-GS_Pn、GS_N1-GS_Nn:增益级
I_P1、I_P2、I_N2:输出电流
IN_PI、IN_Ni:输入端
inRF1、inRF2、inRFi、inRF_P1、inRF_P2、inRF_N2、inRF_Pi、inRF_Ni:RF信号
LO:局部振荡信号
N_N2、N_P1、N_P2:NMOS
OUT:共通输出端
OUT_N、OUT_P:输出端
RP1:电阻
VCC:电源供应部
10:RF接收器
12:天线
14:LNA
16:混频器
18:基带电路
201-20n:阻抗匹配网络
22:频带选择器
24:偏压产生器
26_P1:非反相部
26_N1:部
261-26n:放大级
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