[发明专利]一种用于SiC增强Al基复合材料的SiC预制件的制备方法无效
申请号: | 201310287529.1 | 申请日: | 2013-07-09 |
公开(公告)号: | CN103435353A | 公开(公告)日: | 2013-12-11 |
发明(设计)人: | 李国强;刘玫潭;凌嘉辉;刘家成 | 申请(专利权)人: | 华南理工大学 |
主分类号: | C04B35/565 | 分类号: | C04B35/565;C04B38/06;C04B35/622;C22C21/00;C22C1/10 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 用于 sic 增强 al 复合材料 预制件 制备 方法 | ||
技术领域
本发明涉及电子封装材料的制备方法,特别涉及一种用于SiC增强Al基复合材料的SiC预制件的制备方法。
背景技术
随着微电子器件向高性能、轻量化和小型化方向发展,微电子对封装材料提出越来越苛刻的要求。传统的封装材料包括硅基板,金属基板和陶瓷基板等。硅和陶瓷基板加工困难,成本高,热导率低;金属材料的热膨胀系数与微电子芯片不匹配,在使用过程中将产生热应力而翘曲。因此,这些传统的封装材料很难满足封装基板的苛刻需求。国内外新研发的散热基板材料有金属芯印刷电路板(MCPCB)、覆铜陶瓷板(DBC)和金属基低温烧结陶瓷基板(LTCC-M)。其中,金属芯印刷电路板热导率受到绝缘层的限制,热导率低,且不能实现板上封装;覆铜陶瓷板采用直接键合方式将陶瓷和金属键合在一起,提高了热导率,同时使得热膨胀系数控制在一个合适的范围,但金属和陶瓷的反应能力低,润湿性不好,使得键合难度高,界面结合强度低,易脱落;金属基低温烧结陶瓷基板对成型尺寸精度要求高,工艺复杂,也同样存在金属和陶瓷润湿性不好、易脱落的难题。近年来,AlSiC复合材料由于原材料价格便宜,能近净成形复杂形状,且具有热导率高、膨胀系数可调、比刚度大、密度小,使封装结构具有功率密度高、芯片寿命长、可靠性高和质量轻等特点,在电子封装领域展现出了良好的应用前景。
AlSiC电子封装构件的制备方法由SiC预制件制备和融熔铝合金液浸渗两步组成。SiC预制件的制备是制备AlSiC复合材料的首要也是最重要的环节。目前,预制件的制备方法主要有模压成型、美国AFT公司的粉末注射成型和美国CPS公司的QuicksetTM注射成型技术。另外,还有研究者使用凝胶注模成型法,这种方法工艺复杂,工艺过程不易控制,生产效率低,而且工艺中用到的有机物大多具有毒性,对环境造成污染。以上诸方法中,模压成型法适用于一些结构简单的构件,成型模具制造简单、操作方便、周期短、无污染、效率高,便于实现自动化生产,较适用于SiC预制件的制备。融熔铝合金液浸渗采用真空压力浸渗工艺,这种方法制备得到的复合材料致密无孔洞,综合性能高。
SiC预制件制备过程中,加入适量淀粉作为造孔剂,其在高温下燃烧挥发在预制体中留下孔隙,从而可制备出多孔SiC预制件。调节淀粉用量,可以实现对SiC预制件孔隙率的控制,同时淀粉具有一定的粘结作用,可增强预制件的力学强度。多孔SiC预制件中的孔隙最终被铝所填充,其数量(体积分数)、形状与分布决定了AlSiC复合材料中铝的体积分数与分布。预制件的力学强度也决定了其在浸渗过程中能承载的浸渗压力,从而为得到更为致密的复合材料提供了前提。因此,多孔SiC预制体的孔隙率、力学强度等性能直接决定了复合材料的组织和性能。多数研究者采用有机粘结剂或多种无机试剂混合反应后作为粘结剂。其中,有机粘结剂多具有毒性,易造成环境污染等问题,且有机粘结剂不能耐高温,在浸渗过程中因高温而失去作用,造成复合材料的力学强度下降;多种无机试剂混合反应后作为粘结剂,增加了工艺流程,降低了生产效率。因此,需要找出一个单一组分、使用方便且耐高温的粘结剂,以提高AlSiC复合材料的力学性能。
发明内容
为了克服现有技术的缺点与不足,本发明的目的在于提供一种用于SiC增强Al基复合材料的SiC预制件的制备方法,技术操作性强,工艺简单易行,成本低廉,易于控制;制备得到的SiC预制件孔隙率可控,具有良好的力学性能,能完全满足后续真空压力浸渗的需要,为得到性能优良的AlSiC复合材料提供了前提。
本发明的目的通过以下技术方案实现:
一种用于SiC增强Al基复合材料的SiC预制件的制备方法,包括以下步骤:
(1)将造孔剂淀粉加入到粘结剂分析纯Al(H2PO4)3中,混合均匀,得到均匀混合物;将均匀混合物加入到ɑ-SiC原料中,再次混合均匀,并经烘干、过筛后得到预制件材料;所述淀粉的质量为ɑ-SiC原料、粘结剂和淀粉质量之和的4~12%;所述粘结剂的质量为ɑ-SiC原料、粘结剂和淀粉质量之和的7~15%;
(2)将步骤(1)得到的预制件材料装入模具,使用液压机模压成型得到SiC预制件湿坯;
(3)步骤(2)得到的SiC预制件湿坯经烧制后得到SiC预制件。
步骤(3)所述烧制,烧成参数具体为:
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