[发明专利]高压可控硅检测装置无效
申请号: | 201310278599.0 | 申请日: | 2013-06-27 |
公开(公告)号: | CN103344901A | 公开(公告)日: | 2013-10-09 |
发明(设计)人: | 王树庆 | 申请(专利权)人: | 王树庆 |
主分类号: | G01R31/26 | 分类号: | G01R31/26 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 261200 山东省潍坊*** | 国省代码: | 山东;37 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 高压 可控硅 检测 装置 | ||
技术领域
本发明涉及故障检测领域,具体地说,涉及一种可控硅检测装置。
背景技术
随着电力电子技术的发展,在高压软起动装置、高压无功补偿装置等控制设备系统中,高压可控硅已成为了重要的、关键的元件之一。一旦可控硅出现故障,整个装置就无法继续运行和正常使用。所以对可控硅的故障检测监护、故障信号传送以及故障显示、故障报警等必须及时准确,以便对高压可控硅元件进行及时的维护和更换。
可控硅具有体积小、结构相对简单、功能强等特点,是比较常用的半导体器件之一。该器件被广泛应用于各种电子设备和电子产品中,多用来作可控整流、逆变、变频、调压、无触点开关等。可控硅虽然应用广泛,但故障检测手段有限,在实际运行过程中,仅能依靠被控制设备的异常运行来判断可控硅是否处于故障状态,对于电器的安全运行非常不利。
发明内容
本发明要解决的技术问题是克服上述缺陷,提供一种能够实时检测高压可控硅的高压可控硅检测装置。
为解决上述问题,本发明所采用的技术方案是:
高压可控硅检测装置,包括检测单元,其特征在于:所述检测单元连接有信号处理单元。
作为进一步的改进:
所述信号处理单元的电信号传输为光纤传输。
所述信号处理单元为单片机。
作为再进一步的改进:
所述检测单元包括电源、功能转换开关、正向触发按钮、反向触发按钮、关断按钮、电阻和三孔插座;所述功能转换开关、正向触发按钮、反向触发按钮、关断按钮、电阻、三孔插座分别与信号处理单元电信号连接。
所述功能转换开关包括SCR转换位置和GTO转换位置。
由于采用了上述技术方案,与现有技术相比,本发明很好的解决了高压可控硅在运行的系统和装置中的故障检测监护、故障信号传送的问题,本发明能够实时检测高压可控硅的温度、电压、触发能量值,并将故障信号进行传送。同时通过外部的信号处理单元对信号进行处理,实现实时对高压可控硅故障显示、故障报警等目的。
下面结合附图和具体实施方式对本发明做进一步说明。
附图说明
图1是本发明高压可控硅检测装置的一种实施例的结构框图;
图2是图1中检测单元的电路原理图。
具体实施方式
实施例:如图1所示,高压可控硅检测装置,包括检测单元,所述检测单元连接有信号处理单元。所述信号处理单元的电信号传输为光纤传输。所述信号处理单元为单片机。
如图2所示,所述检测单元包括电源、功能转换开关、正向触发按钮、反向触发按钮、关断按钮、电阻和三孔插座;所述功能转换开关、正向触发按钮、反向触发按钮、关断按钮、电阻、三孔插座分别与信号处理单元电信号连接。所述功能转换开关包括SCR转换位置和GTO转换位置,以检测单向晶闸管、双向晶闸管和可关断晶闸管GTO。
S为功能转换开关,当它拨到SCR位置时,检测装置要用来检测单向晶闸管和双向晶闸管;当S拨到GTO位置时,检测装置可用来检测可关断晶闸管GTO。SB1为正向触发按钮,利用它来正向触发导通各种晶闸管,并检测它们的导通性能。SB2为反向触发按钮,利用它来为被检测双向晶闸管和可关断晶闸管GTO的控制极G提供负触发信号,以检测双向晶闸管的反向触发导通性能和GTO的负触发关断性能。SB3为关断按钮,利用它来检测单向晶闸管和双向晶闸管的关断性能。R为控制极限流电阻,为被测可控硅提供约10mA的触发电流,以确保可控硅被触发导通。三孔插座XS用来插入被测晶闸管的三个管脚。EL为额定电压3V的手电筒灯泡,该灯泡亮时的电流约为300mA,能保证被测晶闸管导通。E1、E2为电源,其中,E2用来为被测GTO提供负触发信号。
1、检测单向晶闸管:将功能转抽换开关S拨到SCR位置,然后将被测单向晶闸管的阳极A、控制极G、阴极K依次插人插座XS的①、②、③插孔中。按下SB1,灯泡EL亮,说明单向晶闸管已被触发导通;松开SB1后,灯泡EL仍亮,说明已被触导通的单向晶闸管,无触发信号后仍维持导通状态;按下SB3,灯泡EL熄灭,说明当电流小于维持导通电流时,单向晶闸管自行关断。以上检测表明:被测单向晶闸管的性能是好的。
2、检测双向晶闸管:
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