[发明专利]一种纳米屏蔽电缆

说明书

技术领域

本发明涉及电线电缆技术领域，尤其涉及一种纳米屏蔽电缆。 

背景技术

现有技术中，电缆的导体一般为金属线材，或者由金属丝绞合而成的线束。电缆导体由多根导线绞合而成，它与绝缘层之间易形成气隙，再加上导体表面不光滑，会造成电场集中，因此会影响电缆信号的传输。现有技术中有很多中屏蔽手段，基本上是在导体的外周包覆一层镀银或者锡的纤维屏蔽网，其屏蔽效果有限。因此，如何提高电缆的屏蔽性能是本领域技术人员急需解决的问题。 

发明内容

为了解决上述存在的诸多问题，本发明旨在提供一种纳米屏蔽电缆，该纳米屏蔽电缆具有优良的屏蔽性能。 

本发明提供一种纳米屏蔽电缆，包括导体，所述导体由多根铜丝线绞合而成，所述铜丝线的直径为0.03-0.15mm，所述铜丝线的表面经过去污抛光处理；所述导体的表面覆盖一层纳米金属锡膜，所述纳米金属锡膜的厚度为0.1-0.3mm，所述纳米金属锡膜的表面包覆一层第一绝缘层，所述第一绝缘层的外面包覆一层纳米聚丙烯腈，所述纳米聚丙烯腈的外面包覆一层第二绝缘层，所述第二绝缘层的外面挤包一层橡胶防护层。 

进一步地，所述第一绝缘层由聚氯乙烯构成。 

进一步地，所述第二绝缘层由聚氯乙烯构成。 

进一步地，所述纳米聚丙烯腈的厚度为0.1-0.5mm。 

本发明提供一种纳米屏蔽电缆，包括导体，所述导体由多根铜丝线绞合而 成，所述铜丝线的直径为0.03-0.15mm，所述铜丝线的表面经过去污抛光处理；所述导体的表面覆盖一层纳米金属锡膜，所述纳米金属锡膜的厚度为0.1-0.3mm，所述纳米金属锡膜的表面包覆一层第一绝缘层，所述第一绝缘层的外面包覆一层纳米聚丙烯腈，所述纳米聚丙烯腈的外面包覆一层第二绝缘层，所述第二绝缘层的外面挤包一层橡胶防护层。 

基于上述技术方案的公开，首先，构成导体的铜丝线经过了去污抛光处理，使得铜丝线绞合更加紧密，导体的表面更加光滑，减小了铜丝线之间的气隙，从而也减小了电场；另外，导体与第一绝缘层之间的纳米金属锡膜，使得导体与第一绝缘层之间结合更加紧密，减小了气隙，增加了屏蔽性；还有，纳米聚丙烯腈的加入也减小了第二绝缘层与防护层之间的间隙，进一步增加了屏蔽性。 

附图说明

图1为本发明中一种纳米屏蔽电缆的截面结构示意图。 

具体实施方式

实施例一 

如图1所示，本发明实施例一提供一种纳米屏蔽电缆，包括导体1，所述导体1由多根铜丝线绞合而成，所述铜丝线的直径为0.03mm，所述铜丝线的表面经过去污抛光处理；所述导体1的表面覆盖一层纳米金属锡膜2，所述纳米金属锡膜2的厚度为0.1mm，所述纳米金属锡膜2的表面包覆一层第一绝缘层3，所述第一绝缘层3由聚氯乙烯构成，所述第一绝缘层3的外面包覆一层纳米聚丙烯腈4，，所述纳米聚丙烯腈的厚度为0.1mm，所述纳米聚丙烯腈4的外面包覆一层第二绝缘层5，所述第二绝缘层5的外面挤包一层橡胶防护层6。 

实施例二 

如图1所示，本发明实施例二提供一种纳米屏蔽电缆，包括导体1，所述导 体1由多根铜丝线绞合而成，所述铜丝线的直径为0.15mm，所述铜丝线的表面经过去污抛光处理；所述导体1的表面覆盖一层纳米金属锡膜2，所述纳米金属锡膜2的厚度为0.3mm，所述纳米金属锡膜2的表面包覆一层第一绝缘层3，所述第一绝缘层3的外面包覆一层纳米聚丙烯腈4，所述纳米聚丙烯腈4的厚度为0.5mm，所述纳米聚丙烯，4的外面包覆一层第二绝缘层5，所述第二绝缘层5由聚氯乙烯构成，所述第二绝缘层5的外面挤包一层橡胶防护层6。 

本发明上述实施例中，首先，构成导体的铜丝线经过了去污抛光处理，使得铜丝线绞合更加紧密，导体的表面更加光滑，减小了铜丝线之间的气隙，从而也减小了电场；另外，导体与第一绝缘层之间的纳米金属锡膜，使得导体与第一绝缘层之间结合更加紧密，减小了气隙，增加了屏蔽性；还有，纳米聚丙烯腈的加入也减小了第二绝缘层与防护层之间的间隙，进一步增加了屏蔽性，。 

上面实施例只是对本发明进行了示例性的描述，显然本发明的实现并不受上述方式的限制，只要采用了发明的方法构思和技术方案进行的各种改进，或未经改进将发明的构思和技术方案直接应用于其它场合的，均在本发明的保护范围内。