[发明专利]晶片加工用胶带

说明书

技术领域

本发明涉及半导体晶片加工用胶带，其为在制造硅晶片等半导体装置时为了进行晶片加工而使用的半导体晶片加工用放射线固化型胶带，该胶带用于对晶片等进行表面保护、或者用于将晶片等固定来进行背面研磨。更详细地说，本发明特别涉及下述半导体晶片加工用放射线固化型胶带：在对表面具有10μm以上的电极等突起的半导体晶片表面进行带贴合的工艺之后，经过背面研磨工序，不会出现从晶片表面到电极的余胶(糊残り)、不会出现电极的脱落等而能够将晶片等剥离。

背景技术

对于将晶片等加工成半导体芯片、直至安装于电子机器的工序，例如由下述工序构成：在半导体晶片的图案表面粘贴半导体晶片表面保护带的工序；对半导体晶片的背面进行磨削使其变薄的工序；将上述磨削后的晶片装配在切割带上的工序；从半导体晶片剥离上述表面保护用胶带的工序；通过切割进行晶片分割的工序；将分割后的半导体芯片接合于引线框架的芯片粘贴工序；之后的为了保护外部而利用树脂对半导体芯片进行密封的模塑(モールド)工序；等等。上述表面保护用胶带中大致分为2种。这2种为：在照射后粘合力显著降低、易于剥离的放射线固化型；以及在晶片背面加工中和剥离时粘合力无变化的、即不会由于放射线而发生粘合力变化的压敏型。

对于这些表面保护用胶带，提出了在乙烯乙酸乙烯酯共聚物等聚烯烃基材膜上设置以丙烯酸聚合物为主成分的粘合剂层的方案(例如参见专利文献1)。

此外，在半导体晶片表面存在有50μm以上高度的电极的情况下，有时在加热至40℃～70℃左右的情况下实施带贴合工艺。在剥离时，为使剥离容易，有时也同样地在加热的情况下进行剥离。

在晶片表面的图案中，存在有各种电子电路或电极、对它们进行保护的聚酰亚胺等保护膜、以及在将晶片单片化为芯片的切割工序中划片刀切入而得到的槽、即划片槽，因而晶片表面不平滑，存在有几微米～几十微米的阶梯差(段差)·凹凸。此处，对晶片背面进行磨削加工，对变薄的晶片进行切割后，进行拾取，隔着芯片表面电极进行接合；将该方式称为倒装芯片接合。该接合方式中，电极部的凹凸非常大，具有10μm～300μm左右的高度。

这样的阶梯差根据晶片或器件的种类而为多样的，但期待通过贴合表面保护用带使晶片表面的阶梯差密合、填埋缝隙。但是，晶片的阶梯差大的情况下，特别是电极高度非常高的情况下、或者是带较硬的情况下，对晶片表面的追从性不足。由于该原因，在进行背面研磨工序时，会产生磨削水浸入到晶片与带的缝隙中的、被称为渗出(シーページ)的现象。此外，在以具有电极的倒装芯片接合为目的的晶片中、特别是在电极无法完全被带填埋的情况下，在背面磨削加工时，会以混入有气泡的位置为起点产生裂痕(割れ)、或者气泡在加工中集中在晶片中心部，该处的Si厚度变薄，可能会产生被称为韧窝(ディンプル)的晶片面内精度变差的现象。

从而，由于发生渗出，带从晶片剥离，晶片以该处为起点产生裂纹、致使发生破损，或者因浸入水而使得晶片表面发生污染或糊的附着，导致成品率大幅恶化。

针对渗出的发生，已知有利用使粘合剂增厚、或使粘合剂的弹性模量降低之类的方法来提高与晶片表面的密合性的方法(例如参见专利文献2)。另外，通过提高粘合力也可期待同样的效果。

但是，在上述这样的方法中，在晶片图案表面的电极高度较高、为10μm以上的情况下，不能完全密合，无法解决上述的渗出问题。此外，在粘合剂与晶片图案表面电极之间存在空隙的情况下，由于氧存在于空隙之间，在紫外线照射时会产生氧固化障碍，在晶片表面残留有部分粘合剂，存在容易产生被称为余胶的现象等问题。在产生余胶的情况下，可能会导致在后续工序的连线焊接或电连接中产生不利状况。

另外，在晶片薄膜化的进展中，近年来特别是在半导体存储用途中，一般进行使晶片厚度薄至100μm以下的薄膜磨削。对于器件晶片，通过背面磨削使其薄膜化至规定厚度后，利用切割工序进行芯片化，将2个以上的芯片层积，进行基板·芯片间的导线连接，之后利用树脂进行密封，由此得到制品。作为接合剂，以往是将糊料状的树脂涂布在晶片背面，但为了进行芯片的薄膜化·小芯片化或进行工序简化，通常采取下述工艺：将预先在基材上层积了粘合剂与接合剂(固晶用粘接片)的切割固晶片贴合在晶片背面(磨削面)，通过切割工序与晶片一起切断(例如参见专利文献3)。在该方法中，由于将均匀厚度的接合剂与芯片同尺寸地进行切断，因而不需要接合剂涂布等工序，并且可以与现有的切割带使用同样的装置，因而作业性良好。