[发明专利]基于RFID的标签控制处理器

说明书

技术领域

本发明涉及一种RFID的标签，尤其涉及一种基于RFID的标签控制处理器。

背景技术

射频识别技术（RFID）是一项利用射频信号通过空间耦合(交变磁场或电磁场)实现无接触信息传递并通过所传递的信息达到识别目的的技术。RFID标签包括电池模块、射频前端、标签控制处理器和天线，其中标签控制处理器为整个标签的主体部分，目前大多数的标签控制处理器电路结构比较复杂，耗电量较高，成本也比较高。

发明内容

本发明的目的就在于为了解决上述问题而提供一种基于RFID的标签控制处理器。

本发明通过以下技术方案来实现上述目的：

本发明包括单片机、存储器、第一电阻、第二电阻、第一电容、第二电容、第三电容和晶振，所述单片机设置有编程地址端口、复位端口、使能端口、第一接地端口、第二接地端口、第一电源输入端口、反相放大器输入端口和反相放大器输出端口，所述存储器设置有第二电源输入端口、总线请求端口、时钟信号端口、数据输入端口、片选端口、数据输出端口、写保护控制端口和第三接地端口，所述第一电源输入端口、所述第二电源输入端口、所述使能端口、所述总线请求端口和所述第一电容的第一端均与电源输入端连接，所述第一接地端口、所述第二接地端口、所述第三接地端口、所述第一电阻的第一端、所述第二电阻的第一端、所述第二电容的第一端和所述第三电容的第一端均接地，所述片选端口与第一所述编程地址端口连接，所述数据输出端口与第二所述编程地址端口连接，所述写保护控制端口与所述第一电阻的第二端连接，所述数据输入端口与第三所述编程地址端口连接，所述时钟信号端口与第四所述编程地址端口连接，所述复位端口同时与所述第一电容的第二端和所述第二电阻的第二端连接，所述反相放大器输入端口同时与所述晶振的第一端和所述第三电容的第二端连接，所述反相放大器输出端口同时与所述晶振的第二端和所述第二电容的第二端连接。

进一步地，所述第一电阻和所述第二电阻大小均为10千欧。

进一步地，所述第一电容大小为10微法，所述第二电容和所述第三电容大小均为15皮法。

本发明的有益效果在于：

本发明结构简单，耗电量低，成本低，功能齐全。

附图说明

图1是本发明的电路原理图。

具体实施方式

下面结合附图对本发明作进一步说明：

如图1所示，本发明包括单片机U1、存储器U2、第一电阻R1、第二电阻R2、第一电容C1、第二电容C2、第三电容C3和晶振X，单片机U1设置有编程地址端口、复位端口RESET、使能端口EA/VPP、第一接地端口GND1、第二接地端口GND2、第一电源输入端口VCC、反相放大器输入端口XTAL1和反相放大器输出端口XTAL2，存储器U2设置有第二电源输入端口Vcc、总线请求端口HOLD、时钟信号端口SCK、数据输入端口SI、片选端口CS、数据输出端口SO、写保护控制端口WP和第三接地端口VSS，第一电源输入端口VCC、第二电源输入端口Vcc、使能端口EA/VPP、总线请求端口HOLD和第一电容C1的第一端均与电源输入端连接，第一接地端口GND1、第二接地端口GND2、第三接地端口VSS、第一电阻R1的第一端、第二电阻R2的第一端、第二电容C1的第一端和第三电容C3的第一端均接地，片选端口CS与第一编程地址端口P1.3连接，数据输出端口SO与第二编程地址端口P1.2连接，写保护控制端口WP与第一电阻R1的第二端连接，数据输入端口SI与第三编程地址端口P1.1连接，时钟信号端口SCK与第四编程地址端口P1.0连接，复位端口RESET同时与第一电容C1的第二端和第二电阻R2的第二端连接，反相放大器输入端口XTAL1同时与晶振X的第一端和第三电容C3的第二端连接，反相放大器输出端口XTAL2同时与晶振X的第二端和第二电容C2的第二端连接。第一电阻R1和第二电阻R2大小均为10千欧，第一电容C1大小为10微法，第二电容C2和第三电容C3大小均为15皮法。这里选用的存储器U2的型号为25XX320，单片机U1的型号为89LV51。