[发明专利]曝光装置、曝光系统及曝光方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种曝光装置、曝光系统及曝光方法。

背景技术

随着液晶显示技术的发展，液晶显示装置朝着大尺寸、高解析度以及低成本的方向发展。在液晶显示装置生产过程中，利用光刻技术在衬底基板表面形成各膜层的图形是非常重要的步骤，光刻技术包括利用掩模板对待曝光基板进行曝光处理。图1为现有技术的曝光装置结构示意图，图2为现有技术曝光光线示意图，如图1和图2所示，光源1产生的光线入射到第一平面镜2上，经第一平面镜2反射的水平光线入射到复眼透镜3上，经复眼透镜3透射的光线入射到凹面镜4，复眼透镜3与凹面镜4距离为D，经凹面镜4反射的光线入射到第二平面镜5，经第二平面镜5反射的光线垂直入射到掩模板6，且经掩模板6的透光区入射到待曝光基板8上，经过显影工艺在基板8上形成图形。

由于液晶显示装置朝着大尺寸方向发展，曝光工艺中使用的掩模板的尺寸也越来越大，掩模板因重力弯曲变形对于曝光图形尺寸影响的问题越来越明显。图3为现有技术曝光过程中掩模板弯曲的示意图，图4为现有技术曝光过程中的掩模板弯曲边缘区域的示意图。如图3和图4所示，在很小的范围内，可以将掩模板6的弧线近似为直线，对掩模板6的边缘进行放大分析，其中，掩模板6上具有用于形成第二图形7的第一图形11，其中，第一图形11为开口，即：第一图形11为透光区，掩模板6上第一图形11的宽度为L1，在玻璃基板8上形成的第二图形7的宽度为L₂，β为局部范围内掩模板6切线与水平面的夹角，曝光装置的光源系统发出的光线12垂直入射到掩模板6的上表面9上，当光线12入射到掩模板6的上表面9时，光线12在掩模板6中折射后入射到掩模板6的下表面10上，在下表面10上具有用于形成第二图形7的第一图形11。其中，第一图形11的宽度为L₁，第二图形7的宽度为L₂。光线透过第一图形11对玻璃基板8进行曝光，再经显影和刻蚀工艺，在玻璃基板8上形成第二图形7，由几何光学可得，L₁=L₂*cosβ。

发明人在实施本发明的过程中发现如下问题：在大尺寸的液晶显示装置的制作过程中，需要大尺寸的掩模板以形成所需图形。然而在曝光过程中，由于重力的影响，掩模板会弯曲变形，为了保证第二图形的宽度与第一图形的宽度一致，可以采用减小掩模板切线与水平面的夹角β的方式，比如通过挤压、负压等方式，但是这些方式都不能完全使掩模板与水平面平行，从而导致在基板上形成的第二图形有偏差，导致液晶显示技术中的CD（Critical Dimension，关键尺寸）参数不准确。

发明内容

本发明提供一种曝光装置、曝光系统及曝光方法，其可以有效解决在大尺寸液晶显示装置基板制作过程中，因掩模板弯曲变形造成的基板上曝光图形尺寸偏差的问题，保证了基板图形关键尺寸准确性，进而改善了液晶显示装置的显示品质。

为实现上述目的，本发明提供一种曝光装置，该曝光装置包括：

提供曝光光线的光源系统，所述曝光光线为扩散光线；

曝光光线经由所述掩模板照射到所述基板上，将所述掩模板的图案光刻到所述基板上。

进一步地，所述掩模板呈弯曲状态，掩模板边缘处切线与水平面的夹角为α；

所述曝光光线照射至所述掩模板边缘处的光线的扩散角为θ，其中，θ=α2.]]>

进一步地，所述掩模板呈弯曲状态，掩模板任一点处切线与水平面的夹角为α_i；

所述曝光光线照射至所述掩模板任一点处的光线的扩散角为θ_i，其中，θi=αi2.]]>

可选地，所述光源系统包括光源、第一平面镜、复眼透镜、凹面镜和第二平面镜，所述光源发出的光线依次经过所述第一平面镜、所述复眼透镜、所述凹面镜和所述第二平面镜后，照射至所述掩模板的光线为扩散光线。