[发明专利]一种继电器连接状态检测装置在审
| 申请号: | 201310256425.4 | 申请日: | 2013-06-25 |
| 公开(公告)号: | CN103353569A | 公开(公告)日: | 2013-10-16 |
| 发明(设计)人: | 徐明;杨志华;许诺;史玲玲;盛龙 | 申请(专利权)人: | 安徽力高新能源技术有限公司 |
| 主分类号: | G01R31/02 | 分类号: | G01R31/02 |
| 代理公司: | 安徽合肥华信知识产权代理有限公司 34112 | 代理人: | 方琦 |
| 地址: | 230088 安徽省合肥市高新区望*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 继电器 连接 状态 检测 装置 | ||
技术领域
本发明涉及继电器检测装置领域,具体为一种继电器连接状态检测装置。
背景技术
高压大电流直流回路中,由于继电器长期处于大电流工作、高压大电流开关状态,使用一段时间后会发生继电器触点烧结短路或断开的现象,影响回路的正常工作,特别是会造成对电池组的过度使用引起安全事故,因此,需对主回路继电器的连接状态进行有效监控。
当前判断继电器连接状态的方法有很多,典型的有两种方案:对继电器线圈开关状态检测的线圈判断法、对继电器触点开关状态检测的触点判断法。线圈判断法通过判断线圈上的电流或两端电压,判断继电器工作状态的开关,但这种方法仅可判断出继电器触点正常情况下的线圈工作状态,无法判断出继电器触点损坏的情况,不符合最终检测目的。
如图2所示。图2为通过电压检测方法检测开关状态的示意图。其中,电池Bat、继电器K1、负载R1组成了应用回路,继电器K1对回路进行有效保护。单片机MCU通过运算放大器Op AMP实现对继电器两端电压的检测,并通过两个开关Op_1和Op_2实现对检测回路的控制。该方法可有效检测出继电器两端的电压,通过判断其电压为0V判断其处于连接状态,电压同Bat电压则为断开状态。
该电路可实现对继电器连接状态的检测,但电路复杂,检测繁琐,需更简单有效的方法实现继电器连接状态的检测。
发明内容
本发明的目的是提供一种继电器连接状态检测装置,以解决现有技术存在的问题。
为了达到上述目的,本发明所采用的技术方案为:
一种继电器连接状态检测装置,所述继电器一端连接一个负载R1的一端,负载R1的另一端连接一个电池Bat的负极,电池Bat的正极连接继电器的另一端,由继电器、负载R1、电池Bat构成回路,其特征在于:包括光耦开关Op-_1、光耦开关Op-_2、单片机MCU,所述光耦开关Op-_1集电极输出端接入电池Bat正极与继电器之间,光耦开关Op-_1发射极输出端与光耦开关Op-_2阳极控制端之间接有电阻R2,光耦开关Op-_2阴极控制端接入继电器与电阻R1之间,所述光耦开关Op-_1的阳极控制端接入单片机MCU的输出OUT_1,光耦开关Op-_1的阴极控制端通过电阻R3接地,光耦开关Op-_2的集电极输出端接入电压VCC,光耦开关Op-_2的发射极输出端分为两路,一路接入单片机MCU的输入IN_1,另一路通过电阻R4接地。
所述的一种继电器连接状态检测装置,其特征在于:所述单片机MCU还与继电器线圈RL连接。
本发明检测方法电路更加简单,控制逻辑清晰,是实效继电器连接状态检测的有效装置。
附图说明
图1为本发明电路原理图。
图2为现有技术通过电压检测方法检测开关状态的示意图。
具体实施方式
如图1所示。一种继电器连接状态检测装置,继电器K1一端连接一个负载R1的一端,负载R1的另一端连接一个电池Bat的负极,电池Bat的正极连接继电器的另一端,由继电器K1、负载R1、电池Bat构成回路,包括光耦开关Op-_1、光耦开关Op-_2、单片机MCU,光耦开关Op-_1集电极输出端接入电池Bat正极与继电器之间,光耦开关Op-_1发射极输出端与光耦开关Op-_2阳极控制端之间接有电阻R2,光耦开关Op-_2阴极控制端接入继电器K1与电阻R1之间,光耦开关Op-_1的阳极控制端接入单片机MCU的输出OUT_1,光耦开关Op-_1的阴极控制端通过电阻R3接地,光耦开关Op-_2的集电极输出端接入电压VCC,光耦开关Op-_2的发射极输出端分为两路,一路接入单片机MCU的输入IN_1,另一路通过电阻R4接地。单片机MCU还与继电器K1线圈RL连接。
电池Bat、继电器K1、负载R1组成了应用回路;单片机MCU、光耦开关Op_1、Op_2及相关限流电阻R2、R3、R4组成继电器连接状态判断回路。
单片机MCU通过对继电器K1线圈RL的管理实现对继电器通断的控制。
光耦开关Op_1平时处于断开状态,此时Op_1输出端与电阻R2、光耦Op_2控制端组成的继电器连接状态处于非工作状态;此时单片机MCU输出OUT_1为低电平、单片机MCU输入IN_1为低电平。
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