[发明专利]一体式三轴磁传感器有效
| 申请号： | 201310247033.1 | 申请日： | 2013-06-21 |
| 公开（公告）号： | CN103323795A | 公开（公告）日： | 2013-09-25 |
| 发明（设计）人： | 赵建强;田武刚;胡佳飞;胡靖华;李文印;潘孟春 | 申请（专利权）人： | 中国人民解放军国防科学技术大学 |
| 主分类号： | G01R33/09 | 分类号： | G01R33/09 |
| 代理公司： | 湖南兆弘专利事务所 43008 | 代理人： | 赵洪;周长清 |
| 地址： | 410073 湖南省长沙市砚瓦池正街47*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 体式 三轴磁 传感器 | ||
1.一种一体式三轴磁传感器，其特征在于，包括磁测量单元（1）、软磁块（2）、玻璃板（3）和基座（4），所述磁测量单元（1）为四个且呈十字型状对称布置在玻璃板（3）上，所述玻璃板（3）安装在基座（4）的上方，所述基座（4）的表面设有一个凹槽（5），所述软磁块（2）放置于凹槽（5）内且软磁块（2）位于四个磁测量单元（1）的中心处。
2.根据权利要求1所述的一体式三轴磁传感器，其特征在于，每个所述磁测量单元（1）包括MR元件（7）、惠斯通电桥、惠斯通电桥的第一电桥偏置引线（607）、第二电桥偏置引线（605）、惠斯通电桥的第一信号引线（608）、第二信号引线（606）；所述惠斯通电桥由第一MR敏感元件（601）、第二MR敏感元件（602）、第一MR参考元件（603）、第二MR参考元件（604）构成；所述MR元件（7）上设有第一聚集器（701）和第二聚集器（702），所述第一MR敏感元件（601）、第二MR敏感元件（602）位于第一聚集器（701）和第二聚集器（702）的气隙间；所述第一MR参考元件（603）、第二MR参考元件（604）分别位于气隙两侧的聚集器的下方。
3.根据权利要求2所述的一体式三轴磁传感器，其特征在于，所述MR元件（7）呈细条状，所述MR元件（7）为自旋阀结构GMR、多层膜结构GMR或TMR。
4.根据权利要求1或2或3所述的一体式三轴磁传感器，其特征在于，所述软磁块（2）的表面和玻璃板（3）的表面平行。
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