[发明专利]一种低腐蚀性的氧化电位杀菌溶液及其制备方法

权利要求书

1.一种低腐蚀性的氧化电位杀菌溶液的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

（1）提供含有有效氯或者可以产生有效氯的有效氯提供单元；

（2）提供pH值调节单元；

（3）将所述pH值调节单元与所述有效氯提供单元混合，得到强氧化性溶液，所述强氧化性溶液的pH值在2-8间，其氧化还原电位不低于600mV，其有效氯含量不低于3mg/L，其电导率不高于120S/m。

2.如权利要求1所述的低腐蚀性的氧化电位杀菌溶液的制备方法，其特征在于，所述强氧化性溶液的pH值在4-8间，其氧化还原电位为600-1300mV，其有效氯含量为3-5000mg/L，其电导率不高于60S/m。

3.如权利要求1所述的低腐蚀性的氧化电位杀菌溶液的制备方法，其特征在于，所述强氧化性溶液的pH值在5-8间，其氧化还原电位为600-1200mV，其有效氯含量为3-2000mg/L，其电导率为10^-4-10S/m。

4.如权利要求1所述的低腐蚀性的氧化电位杀菌溶液的制备方法，其特征在于，在步骤（1）中还包括：对所述有效氯提供单元进行降低电导率的预处理。

5.如权利要求1所述的低腐蚀性的氧化电位杀菌溶液的制备方法，其特征在于，在步骤（2）中还包括：对所述pH值调节单元进行降低电导率的预处理。

6.如权利要求1所述的低腐蚀性的氧化电位杀菌溶液的制备方法，其特征在于，在步骤（3）中还包括：对所述pH值调节单元与所述有效氯提供单元混合后的混合液进行降低电导率的后处理。

7.如权利要求4或5或6所述的低腐蚀性的氧化电位杀菌溶液的制备方法，其特征在于，所述降低电导率的处理方法可选自结晶法、膜分离法、电化学法、层析法、吸附法、离子交换法或加入可抑制电离的物质中的一种或者几种。

8.如权利要求7所述的低腐蚀性的氧化电位杀菌溶液的制备方法，其特征在于，所述可抑制电离的物质包括可与水混溶或在水中具有一定溶解度的有机溶剂。

9.如权利要求8所述的低腐蚀性的氧化电位杀菌溶液的制备方法，其特征在于，所述可与水混溶或在水中具有一定溶解度的有机溶剂选自甲醇、乙醇、1-丙醇、2-丙醇、1-丁醇、2-丁醇、乙二醇、1,2-丙二醇、1,3-丙二醇、丙三醇、丙酮的其中一种或几种。

10.一种低腐蚀性的氧化电位杀菌溶液，其特征在于，包括使用前独立分装的pH值调节单元和有效氯提供单元；所述有效氯提供单元为含有有效氯或者可以产生有效氯的制剂，所述pH值调节单元与所述有效氯提供单元混合后得到强氧化性溶液，所述强氧化性溶液的pH值在2-8间，其氧化还原电位不低于600mV，其有效氯含量不低于3mg/L，其电导率不高于120S/m。

11.如权利要求10所述的低腐蚀性的氧化电位杀菌溶液，其特征在于，所述强氧化性溶液的pH值在4-8间，其氧化还原电位为600-1300mV，其有效氯含量为3-5000mg/L，其电导率不高于60S/m。

12.如权利要求10所述的低腐蚀性的氧化电位杀菌溶液，其特征在于，所述强氧化性溶液的pH值在5-8间，其氧化还原电位为600-1200mV，其有效氯含量为3-2000mg/L，其电导率为10^-4-10S/m。

13.一种低腐蚀性的氧化电位杀菌溶液，其特征在于，所述杀菌溶液的pH值在2-8间，其氧化还原电位不低于600mV，其有效氯含量不低于3mg/L，其电导率不高于120S/m。

14.如权利要求13所述的低腐蚀性的氧化电位杀菌溶液，其特征在于，所述杀菌溶液的pH值在4-8间，其氧化还原电位为600-1300mV，其有效氯含量为3-5000mg/L，其电导率不高于60S/m。

15.如权利要求13所述的低腐蚀性的氧化电位杀菌溶液，其特征在于，所述杀菌溶液的pH值在5-8间，其氧化还原电位为600-1200mV，其有效氯含量为3-2000mg/L，其电导率为10^-4-10S/m。