[发明专利]包括过应力保护的转换器无效

专利信息
申请号: 201310214387.6 申请日: 2013-05-31
公开(公告)号: CN103457597A 公开(公告)日: 2013-12-18
发明(设计)人: N·加涅;科奈斯·P·斯诺登 申请(专利权)人: 快捷半导体(苏州)有限公司;快捷半导体公司
主分类号: H03K19/0175 分类号: H03K19/0175
代理公司: 北京派特恩知识产权代理事务所(普通合伙) 11270 代理人: 武晨燕;张颖玲
地址: 215021 江苏*** 国省代码: 江苏;32
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 包括 应力 保护 转换器
【说明书】:

技术领域

本申请讨论了电子电路,且更特别地讨论了用于对电子电路进行过应力保护的装置和方法。

背景技术

在特定应用中,通路门用于在电子设备的两个节点之间传递信号。例如,通路门可用于从电子设备(例如,便携电子设备)向连接到该电子设备上的附属设备传递信号。通路门可用于在两个设备间传递模拟信号(例如,模拟音频信号)。通路门控制电路的设计标准影响通路门在不引入失真的情况下传递特定模拟信号的表现,以及当该通路门被禁用时将两个节点彼此隔离开的表现。某些模拟通路门和相应的通路门控制单元使用高电压工艺制作使得该通路门和控制电路能够承受高电压信号的接收。这样的高压器件和制作这样的器件的工艺会增加使用这些器件的产品的成本。

发明内容

除其他情况之外,本发明讨论了电压过应力保护,使得低电压元件能够用于易受能使低电压元件产生应力的电压的影响的电路中(例如,通路门电路的电压转换器)。

根据一个方面,提供了一种控制电路,所述控制电路被配置为连接到模拟通路门的控制节点处,所述模拟通路门被配置为响应于控制信号的第一状态将第一节点隔离于第二节点且响应于所述控制信号的第二状态将所述第一节点连接到所述第二节点处,所述控制电路可包括:第一晶体管,所述第一晶体管被配置为接收第一电压且在所述第二状态下将所述第一电压连接到所述模拟通路门的所述控制节点处,其中,所述第一电压参考所述第一节点处的电压;第二晶体管,所述第二晶体管连接到所述第一晶体管和所述通路门的所述控制节点之间,且被配置为当所述控制信号处于所述第二状态时作为源极跟随器工作,以当所述第一电压超过所述第一晶体管或所述第二晶体管中的至少一个的额定电压时减小所述第一晶体管和所述第二晶体管的电压应力;第三晶体管,所述第三晶体管连接到所述第二晶体管和参考电压之间;其中,所述第一晶体管的控制节点和所述第二晶体管的控制节点被配置为接收第二电压;其中,所述第三晶体管的控制节点被配置为接收所述控制信号的表示;以及其中,所述第二晶体管和所述第三晶体管被配置为在所述第一状态下将所述模拟通路门的所述控制节点连接到所述参考电压上。

根据另一方面,提供了一种用于控制模拟通路门的方法,所述模拟通路门被配置为响应于控制信号的第一状态将第一节点隔离于第二节点,且响应于所述控制信号的第二状态将所述第一节点连接到所述第二节点处,所述方法可包括:响应于所述控制信号的所述第二状态,使用第一晶体管将第一电压连接到所述模拟通路门的控制节点处,所述第一电压以一预定电压值偏移于所述第一节点的电压;当所述控制信号处于所述第二状态时,使第二晶体管作为源极跟随器工作,以当所述第一电压超出所述第一晶体管和所述第二晶体管中的至少一个的额定电压时减小所述第一晶体管和所述第二晶体管的电压应力;当所述控制信号处于所述第二状态时,在所述第一晶体管的控制节点和所述第二晶体管的控制节点处接收第二电压;在第三晶体管上接收所述控制信号的表示;以及当所述控制信号处于所述第一状态时,通过使用所述第二晶体管和所述第三晶体管,将所述模拟通路门的所述控制节点连接到参考电压上。

根据另一方面,提供了一种系统。所述系统可包括:通路门晶体管,用于响应于控制信号的第一状态将第一节点隔离于第二节点且响应于所述控制信号的第二状态将所述第一节点连接到所述第二节点处;以及控制电路,被配置为接收所述控制信号,所述控制电路包括:第一晶体管,被配置为接收第一电压且在第二状态下将所述第一电压连接到所述通路门晶体管的所述控制节点处,其中,所述第一电压参考所述第一节点处的电压;第二晶体管,所述第二晶体管连接到所述第一晶体管和所述通路门晶体管的所述控制节点之间,且被配置为当所述控制信号处于所述第二状态时作为源极跟随器工作以当所述第一电压超过所述第一晶体管或所述第二晶体管中的至少一个的额定电压时减小所述第一晶体管和所述第二晶体管的电压应力;第三晶体管,连接到所述第二晶体管和参考电压之间,其中,所述第一晶体管的控制节点和所述第二晶体管的控制节点被配置为接收第二电压;其中,所述第三晶体管的控制节点被配置为接收所述控制信号的表示;以及其中,所述第二晶体管和所述第三晶体管被配置为在第一状态下将所述通路门晶体管的所述控制节点连接到所述参考电压上。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于快捷半导体(苏州)有限公司;快捷半导体公司,未经快捷半导体(苏州)有限公司;快捷半导体公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201310214387.6/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top