[发明专利]硅料中杂质的处理方法无效

专利信息
申请号: 201310200070.7 申请日: 2013-05-27
公开(公告)号: CN103266347A 公开(公告)日: 2013-08-28
发明(设计)人: 白剑铭 申请(专利权)人: 英利能源(中国)有限公司
主分类号: C30B15/14 分类号: C30B15/14;C30B15/20
代理公司: 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 代理人: 吴贵明;张永明
地址: 071051 河*** 国省代码: 河北;13
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摘要:
搜索关键词: 硅料中 杂质 处理 方法
【权利要求书】:

1.一种硅料中杂质的处理方法,其特征在于,包括杂质分离步骤:使加热器的温度高于杂质的沸点且低于硅料的沸点,以使所述杂质在气态下与所述硅料分离。

2.根据权利要求1所述的硅料中杂质的处理方法,其特征在于,在所述杂质分离步骤之前,还包括预处理步骤,所述预处理步骤包括:使石墨坩埚位于所述加热器的高温区。

3.根据权利要求1所述的硅料中杂质的处理方法,其特征在于,在所述杂质分离步骤中,所述加热器的功率为85KW至95KW。

4.根据权利要求2所述的硅料中杂质的处理方法,其特征在于,在进行所述杂质分离步骤时,观察所述石墨坩埚内的石英埚中的硅料,如果出现沸腾现象,下调所述加热器的功率,以使所述加热器的温度高于所述杂质的沸点且低于所述硅料的沸点。

5.根据权利要求4所述的硅料中杂质的处理方法,其特征在于,所述加热器的下调功率为3KW至7KW。

6.根据权利要求1至5中任一项所述的硅料中杂质的处理方法,其特征在于,所述杂质分离步骤的处理时间为1.5小时至2小时。

7.根据权利要求1至5中任一项所述的硅料中杂质的处理方法,其特征在于,在所述杂质分离步骤之后还包括将所述杂质分离步骤分离出的所述杂质排出单晶炉的杂质排除步骤。

8.根据权利要求7所述的硅料中杂质的处理方法,其特征在于,所述杂质排除步骤包括:调节所述单晶炉内的惰性气体的流量,使所述杂质伴随所述惰性气体流出所述单晶炉。

9.根据权利要求8所述的硅料中杂质的处理方法,其特征在于,所述惰性气体的流量为40L/min至60L/min。

10.根据权利要求8所述的硅料中杂质的处理方法,其特征在于,所述惰性气体为氩气。

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