[发明专利]放大器电路

说明书

技术领域

本发明涉及一种放大器电路，具体地尽管不是排除地涉及一种包括多赫尔蒂(Doherty)放大器电路在内的高功率射频放大器。

背景技术

使用负载线调制技术作为用于改善总功率放大器(PA)效率的装置已经出现了一段时间。

由于多赫尔蒂型放大器当处理可变功率级别(这在多载波无线通信系统中是常见的)时的高效率，多赫尔蒂型放大器广泛地用于无线通信中的功率放大器(PA)。多赫尔蒂放大器包括主放大器和峰值放大器。主放大器处理高达一定转变点的功率级别，并且峰值放大器在大于所述转变点的功率级别下操作。与类似地额定单级AB-或A-类放大器相比，典型地是不同类别的主放大器和峰值放大器一起可以递送改进的补偿功率级别效率。

在说明书中对于现有公布文件的列举或讨论不应该看作是承认所述文件是现有技术或者是公知常识。

发明内容

根据本发明的一个方面，提出了一种集成多赫尔蒂放大器电路，包括：

主输入端子、峰值输入端子和输出端子；

沿第一方向彼此偏移的主输入导体和峰值输入导体，其中所述主输入导体和所述峰值输入导体都沿与第一方向垂直的第二方向延伸，并且其中所述主输入导体的输入端耦合至所述主输入端子，并且所述峰值输入导体的输入端耦合至所述峰值输入端子；

沿第二方向延伸的输出导体，其中所述输出导体的输出端耦合至所述输出端子；

主放大器级，所述主放大器级沿第二方向延伸并且具有主放大器级输入和主放大器级输出；

峰值放大器级，所述峰值放大器级沿第二方向延伸并且具有峰值放大器级输入和峰值放大器级输出；

主输入连接集合，配置为将所述主放大器级输入耦合至所述主输入导体；

主输出连接集合，配置为将所述主放大器级输出耦合至所述输出导体；

峰值输入连接集合，配置为将所述峰值放大器级输入耦合至所述峰值输入导体；以及

峰值输出连接集合，配置为将所述峰值放大器级输出耦合至所述输出导体。

上述限定的输入导体、放大器级和输出导体的结构可以允许将相干信号提供给主放大器级和峰值放大器级内的多个晶体管放大器、同相地重新组合。这种同相地重新组合可以在保持输出信号相干性的同时允许更大的功率输出和更高的效率。

可以将所述端子、导体和放大器级设置在陶瓷或塑料封装上或者设置在电介质衬底上。第一和第二方向可以都在衬底的平面中。电介质衬底可以是硅或薄层。

主放大器级可以是A类或AB类放大器。峰值放大器级可以是B类或C类放大器。

晶体管可以是场效应晶体管。场效应晶体管的使用可以在诸如移动电话基站之类的应用中允许与采用双极型晶体管的是实施方式相比改进的功率效率。主放大器级输入可以包括场效应晶体管或晶体管的栅极连接。主放大器级输出可以包括场效应晶体管或晶体管的漏极连接。峰值放大器级输入可以包括场效应晶体管或晶体管的栅极连接。峰值放大器级输出可以包括场效应晶体管或晶体管的漏极连接。

主放大器级可以包括多个主晶体管。多个晶体管的提供使得针对要求增加的功率输出的应用能够实现功率缩放和改进的性能。主晶体管可以沿第二方向间隔开。峰值放大器级可以包括多个峰值晶体管。峰值晶体管可以沿第二方向相互偏移地间隔开。主放大器级输入可以包括相应主晶体管的栅极端子。主放大器级输出可以包括相应主晶体管的漏极端子。峰值放大器级输入可以包括相应峰值晶体管的栅极端子。峰值放大器级输出可以包括相应峰值晶体管的漏极端子。

放大器电路可以具有沿第二方向偏移的输入侧和相对的输出侧。峰值输入导体的输入端和/或主输入导体的输入端可以更靠近放大器的输入侧而不是输出侧。输出导体的输出端可以更靠近放大器电路的输出侧而不是输入侧。

主放大器级输入和主放大器级输出可以在主放大器级的相对边缘上。主放大器级输入和主放大器级输出可以沿第二方向延伸。峰值放大器级输入和峰值放大器级输出可以在峰值放大器级的相对边缘上。峰值放大器级输入和峰值放大器级输出可以沿第二方向延伸。这些结构可以使得能够针对主和/或峰值放大器级输入和输出实现容易的连接性，并且也提供紧凑的电路布局。

这里定义的“集合连接”可以指的是单一的连接。另外，可以互换地使用术语“连接”和“多个连接”。

主输入连接集合、主输出连接集合、峰值输入连接集合和峰值输出连接集合内的多个连接可以沿第二方向间隔开。这可以允许将单独的连接与所述主放大器级或峰值放大器级中的单独晶体管或晶体管的子集相关联。