[发明专利]新型高密度阴极等离子体源有效

专利信息
申请号: 201310173444.0 申请日: 2013-05-10
公开(公告)号: CN103298233A 公开(公告)日: 2013-09-11
发明(设计)人: 李波;吴杰峰;罗广南;王海京;韦俊;宋春 申请(专利权)人: 合肥聚能电物理高技术开发有限公司
主分类号: H05H1/24 分类号: H05H1/24
代理公司: 安徽合肥华信知识产权代理有限公司 34112 代理人: 余成俊
地址: 230031 安徽省合肥市蜀山湖路3*** 国省代码: 安徽;34
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摘要:
搜索关键词: 新型 高密度 阴极 等离子体
【权利要求书】:

1.一种新型高密度阴极等离子体源,其特征在于:包括有屏蔽罩,屏蔽罩中设有屏蔽筒,屏蔽筒中设有LaB6阴极、加热元件,屏蔽罩的后端设有安装基座,安装基座为水冷热沉结构,安装基座通过数个支撑杆固定在安装法兰的内壁上,安装法兰安装进气连接件作为进气口,安装法兰自外向内贯穿一个电连接件,电连接件的周围与安装法兰之间超高真空密封,电连接件的一端与加热元件连接,安装法兰外还设有一水冷电极,水冷电极通过安装法兰内的水冷接头与加热元件连接。

2.根据权利要求1所述的新型高密度阴极等离子体源,其特征在于:所述的安装法兰安装在真空室的真空法兰上,所述的屏蔽筒、LaB6阴极、加热元件、支撑杆均位于真空室内。

3.根据权利要求1所述的新型高密度阴极等离子体源,其特征在于:所述的电连接件与安装法兰之间绝缘。

4.根据权利要求1所述的新型高密度阴极等离子体源,其特征在于:所述的加热元件采用加热丝。

5.根据权利要求1所述的新型高密度阴极等离子体源,其特征在于:所述的屏蔽筒包括有直径依次减小的屏蔽筒一、屏蔽筒二、屏蔽筒三,各屏蔽筒的一端抵在屏蔽罩的侧壁上并采用氩弧焊连接,各屏蔽筒的另一端分别设有屏蔽片一、屏蔽片二、屏蔽片三。

6.根据权利要求1所述的新型高密度阴极等离子体源,其特征在于:还包括有屏蔽支撑,所述的屏蔽支撑包括24个相同大小的小型钨棒,分别使用氩弧焊技术焊接在屏蔽筒一和屏蔽罩之间。

7.根据权利要求1所述的新型高密度阴极等离子体源,其特征在于:所述的LaB6阴极固定在阴极保持架上,所述的阴极保持架包括两个半爿结构的凹槽圆片,阴极保持架采用极耐高温材料加工而成,阴极保持架的内部与LaB6阴极仅点接触。

8.根据权利要求1或5或7所述的新型高密度阴极等离子体源,其特征在于:所述的屏蔽罩与阴极保持架之间设有石墨纸,石墨纸为特殊石墨材料的纸状薄片。

9.根据权利要求1所述的新型高密度阴极等离子体源,其特征在于:所述的进气连接件为真空元器件,进气连接件与安装法兰保持超高真空密封连接,留有标准真空器件端口与外置进气机构连接。

10.根据权利要求1所述的新型高密度阴极等离子体源,其特征在于:所述的水冷电极可容许大电流通过,而且始终保持与安装法兰的绝缘和超高真空密封。

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